一种全吸附式晶片固定装置的制作方法

本实用新型涉及晶片减薄加工的吸附设备，具体涉及一种全吸附式晶片固定装置。

背景技术：

晶圆减薄，是在制作集成电路中的晶圆体减小尺寸，为了制作更复杂的集成电路。集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求，其次是竞争的要求。在集成电路制造中，半导体硅材料由于其资源丰富，制造成本低，工艺性好，是集成电路重要的基体材料。从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机，减薄机的研磨头与晶片背面旋转接触，完成磨削减薄。

公知晶片减薄的吸附是一个难以解决的问题，现有吸附方式只是单独把晶片放在真空吸附台的吸附面上，该吸附方式会造成真空吸附不稳定，上料和下料不方便，尤其是会产生损伤晶片的危险，在对多个晶片同时进行吸附并加工时，一旦其中一个晶片破裂，该晶片与真空吸附台的吸附连接就解除，继续加工时裂开的晶片碎片会对其余晶片产生危害，造成连带损坏；即使及时发现破碎晶片，并停机取下，也会造成停机中断，影响加工效率及加工连续性。

技术实现要素：

本实用新型为了解决现有技术中的不足之处，提供一种全吸附式晶片固定装置，有效的完成晶片的吸附固定，为一次性加工多片晶片提供基础，防止对晶片加工造成不良损伤，并且有效减少上下料的时间，大大提高生产效率，保证生产的稳定。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种全吸附式晶片固定装置，包括真空吸附平台，所述真空吸附平台的吸附面上铺设有安装板，安装板的与所述吸附面相接触的一侧面为真空连接面，真空连接面为光滑平面，安装板的真空连接面与所述吸附面形成真空吸附连接，安装板上与真空连接面相对的另一侧面为晶片固定面，晶片固定面上涂覆有粘性层，粘性层上排布设有于多个用于放置晶片的晶片安装位，晶片在对应的晶片安装位处与粘性层粘接连接。

所述晶片安装位呈圆周状均布排列设置，且其所在圆周的中轴线与减薄机的研磨头的旋转轴线重合。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型可以有效的完成晶片的吸附固定，为一次性加工多片晶片提供基础，防止对晶片加工造成不良损伤，并且有效减少上下料的时间，大大提高生产效率，保证生产的稳定。

本实用新型尤其克服了现有晶片吸附加工时易损伤晶片的缺陷，本实用新型在对多个晶片同时进行吸附并加工时，一旦其中一个晶片破裂，该晶片仍会粘结在粘性层上，继续加工时裂开的晶片碎片不会对其余晶片产生危害，避免造成连带损坏，从而减少了中途停机时间，保证加工效率及加工连续性。

附图说明

图1是本实用新型的主视图；

图2是图1中安装板的俯视图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明。

如图1和图2所示，本实用新型的一种全吸附式晶片固定装置，包括真空吸附平台1，所述真空吸附平台的吸附面上铺设有安装板2，安装板2的与所述吸附面相接触的一侧面为真空连接面，真空连接面为光滑平面，安装板2的真空连接面与所述吸附面形成真空吸附连接，安装板2上与真空连接面相对的另一侧面为晶片固定面，晶片固定面上涂覆有粘性层3，粘性层3上排布设有于多个用于放置晶片的晶片安装位，晶片4在对应的晶片安装位处与粘性层3粘接连接。

本实施例中所述晶片安装位呈圆周状均布排列设置，且其所在圆周的中轴线与减薄机的研磨头5的旋转轴线重合。

本实用新型可以有效的完成晶片的吸附固定，为一次性加工多片晶片提供基础，防止对晶片加工造成不良损伤，并且有效减少上下料的时间，大大提高生产效率，保证生产的稳定。

本实用新型尤其克服了现有晶片吸附加工时易损伤晶片的缺陷，本实用新型在对多个晶片同时进行吸附并加工时，一旦其中一个晶片破裂，该晶片仍会粘结在粘性层上，继续加工时裂开的晶片碎片不会对其余晶片产生危害，避免造成连带损坏，从而减少了中途停机时间，保证加工效率及加工连续性。

本实用新型在加工前，先把多个晶片在对应晶片安装位处与粘性层粘接连接固定后，还可利用橡胶棒把晶片和粘性层中间的空气挤压出去；之后把带晶片的安装板吸附到真空吸附台的吸附面处，然后进行加工；加工完成后，取消真空，即可将带晶片的安装板整个取下来，加工结束，有效减少上下料的时间，同时晶片牢牢黏在粘性层上，也不会对晶片加工造成不良损伤。

本实用新型结构简单、设置灵活、使用方便，可以用于多种加工吸附表面，适用于多片晶片的加工。

以上实施例仅用以说明而非限制本实用新型的技术方案，尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本实用新型进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型的精神和范围的任何修改或局部替换，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。