技术特征：
技术总结
本发明揭示一种形成磁隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的磁电极的导电材料上方。使非晶体金属形成于所述包括MgO的材料上方。使包括Co及Fe的非晶体磁电极材料形成于所述非晶体金属上方。所述非晶体磁电极材料缺乏B。直接抵靠所述非晶体磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料缺乏B。在形成所述隧道绝缘体材料后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶体磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料。所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。本发明还揭示其它方法及非方法实施例。
技术研发人员：曼札拉·西迪克;维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2016.02.16
技术公布日：2017.10.17