技术特征：
技术总结
本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
技术研发人员：托马斯·卡里兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;乌韦·戈尔弗特;维金塔斯·扬库什;卡斯滕·罗特;本杰明·舒尔策;斯特芬·维尔曼
受保护的技术使用者：诺瓦尔德股份有限公司
技术研发日：2016.11.09
技术公布日：2018.07.17