实施例涉及发光器件封装和照明装置。
背景技术：
发光器件是一种将电能转化为光的半导体器件，并且作为替代传统的荧光灯、白炽灯等的下一代光源而受到关注。
因为发光二极管通过使用半导体器件产生光，所以与通过加热钨而产生光的白炽灯或者通过使经由高压放电产生的紫外线在磷光体上进行碰撞而产生光的荧光灯相比，发光二极管消耗非常低的电力。
另外，因为发光二极管利用半导体器件的电势间隙产生光，所以与传统光源相比，发光二极管具有长寿命、快速响应特性和环保特性。
因此，已经进行了各种研究以用发光二极管代替传统的光源，并且发光二极管被越来越多地用作在室内和室外所使用的照明装置的光源，例如各种灯、液晶显示装置、电子标识牌、街道灯等。
技术实现要素：
技术问题
实施例提供了一种发光器件封装和照明装置，其具有能够改善第一引线框架与第二引线框架之间的间隔空间中的注射成型的结构。
实施例提供了一种发光器件封装和照明装置，其能够提高第一引线框架和第二引线框架的暴露边缘处的硬度。
实施例提供了一种发光器件封装和照明装置，其能够提高第一引线框架和第二引线框架与主体之间的结合力。
实施例提供了一种发光器件封装和照明装置，其能够提高主体的注射成型的可靠性。
实施例提供了一种发光器件封装和照明装置，能够改善光提取效率。
技术解决方案
实施例的发光器件封装包括：第一引线框架；发光器件，安装在第一引线框架上；第二引线框架，沿第一方向与第一引线框架隔开；保护装置，安装在第二引线框架上；以及主体，结合到第一引线框架和第二引线框架，其中，第一引线框架包括沿第一引线框架的下表面的边缘设置的第一阶梯部，并且第二引线框架包括沿第二引线框架的下表面的边缘设置的第三阶梯部、在竖直方向上与第三阶梯部不叠置且与第三阶梯部隔开的保护装置的安装区域以及在竖直方向上与第三阶梯部部分地叠置的第二引线凹进部，其中，第一阶梯部和第三阶梯部可以设置在主体中，以改善向第一引线框架与第二引线框架之间的间隔空间中的注射成型。
即，在实施例中，边缘部或曲面部可以在第一引线框架和第二引线框架的间隔空间周围设置，以改善注射成型缺陷，由此提高产率。
实施例的照明装置可以包括该发光器件封装。
有益效果
在实施例的发光器件封装中，通过提出这样一种结构：即，围绕侧部的间隔由于围绕侧部设置的边缘部而比面对第一引线框架和第二引线框架的侧部之间的隔开间隔宽，可以在第一引线框架与第二引线框架之间的间隔空间中改善注射成型。
即，在实施例中，边缘部或曲面部可以围绕第一引线框架和第二引线框架的间隔空间设置，以改善注射成型缺陷，由此提高产率。
实施例的发光器件封装可以围绕第一引线框架和第二引线框架的暴露的第一侧部和第五侧部包括边缘部，这些边缘部与第一侧部和第五侧部具有相同厚度，以提高第一引线框架和第二引线框架的硬度。即，在实施例中，可以通过设置在第一引线框架和第二引线框架的下表面的边缘处的阶梯部和边缘部的结构来提高第一引线框架和第二引线框架的硬度，同时，可以提高与主体的结合力。
在实施例中，边缘部可以设置在面对第一引线框架和第二引线框架的侧部周围，因此，可以在第一引线框架与第二引线框架之间的间隔空间中改善注射成型。即，实施例改善了第一引线框架与第二引线框架的隔开的间隔空间周围的注射成型缺陷，从而可以提高产率。
实施例的发光器件封装可以在被构造为暴露出第一引线框架和第二引线框架的腔体的内侧表面的拐角处包括预定的曲率，以改善在腔体的拐角区域处可能发生的诸如裂纹的缺陷。即，在实施例中，可以提高用于将主体与第一引线框架和第二引线框架结合的注射成型的可靠性。
另外，在实施例中，总体上均匀地保持了腔体的内侧表面与发光器件之间的间隔，由此改善了腔体的拐角区域处的光损失。即，在实施例中，可以提高光提取效率。
附图说明
图1是示出根据一个实施例的发光器件封装的透视图。
图2是示出根据一个实施例的发光器件封装的平面图。
图3是示出根据一个实施例的发光器件封装的剖视图。
图4是示出根据一个实施例的第一引线框架和第二引线框架的平面图。
图5是示出根据一个实施例的第一引线框架和第二引线框架的上部的透视图。
图6是示出根据一个实施例的第一引线框架和第二引线框架的下部的透视图。
图7是示出根据另一实施例的发光器件封装的剖视图。
图8是示出根据另一实施例的第一引线框架和第二引线框架的平面图。
图9是示出根据又一实施例的图2的区域a的图。
图10是示出包括在实施例的发光器件封装中的发光芯片的剖视图。
图11是示出包括在实施例的发光器件封装中的另一示例的发光芯片的剖视图。
图12是示出包括实施例的发光器件封装的显示装置的透视图。
图13是示出包括实施例的发光器件封装的显示装置的另一实施例的剖视图。
具体实施方式
当前实施例可以修改为另一形式或者可以与一些实施例进行组合，本发明的范围不限于下面描述的每个实施例。
尽管在其他实施例中没有描述在特定实施例中描述的内容，但是除非另有说明或与描述矛盾，否则可以结合该描述来理解其他实施例。
例如，如果在特定实施例中描述了用于构造a的特征以及在另一实施例中描述了用于构造b的特征，那么尽管未明确地描述构造a和构造b相组合的实施例，但是除非另有说明或相矛盾，否则应当理解，这种组合属于本发明的权利范围。
在下文中，将参照附图描述能够实现以上目的的本发明的实施例。
在实施例的描述中，应当理解，当装置被称作“在”另一装置“上或下方”时，术语“在…上或下方”是指两个装置之间的直接连接，或者两个装置之间的间接连接，其中一个或更多装置形成在它们之间。另外，当使用术语“在…上或下方”时，其可以是指相对于装置的向下方向以及向上方向。
半导体器件可以包括诸如发光器件和光接收器件的各种电子器件，并且发光器件和光接收器件二者可以包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。
根据本实施例的半导体器件可以是发光器件。
发光器件通过电子和空穴的重新组合而发射光，这种光的波长取决于材料的本征能量带隙。因此，发射的光可以根据材料的组成而不同。
图1是示出根据一个实施例的发光器件封装的透视图，图2是示出根据一个实施例的发光器件封装的平面图，图3是示出根据一个实施例的发光器件封装的剖视图，图4是示出根据一个实施例的第一引线框架和第二引线框架的平面图，图5是示出根据一个实施例的的第一引线框架和第二引线框架的上部的透视图，以及图6是示出根据一个实施例的第一引线框架和第二引线框架的下部的透视图。
如图1至图6所示，根据一个实施例的发光器件封装100可以包括第一引线框架130、第二引线框架140、主体120、保护装置160和发光器件150。
发光器件150可以设置在第一引线框架130上。发光器件150可以设置在从主体120暴露的第一引线框架130的上表面上。实施例的发光器件150被描述为限于单个构造，但是不限于此，并且可以构造为具有两个或更多个的多个，且可以以阵列形式来构造。发光器件150可以通过引线连接，但是不限于此。发光器件150可以设置在主体120的中心处，但是不限于此。
保护装置160可以设置在第二引线框架140上。保护装置160可以设置在从主体120暴露的第二引线框架180的上表面上。保护装置160可以是齐纳(zener)二极管、闸流晶体管(thyristor)、瞬态电压抑制(tvs)等，但是不限于此。实施例的保护装置160将作为保护发光器件150免受静电放电(esd)影响的齐纳二极管的示例进行描述。保护装置160可以通过引线连接到第一引线框架130。
主体120可以包括光透射材料、反射材料和绝缘材料中的至少一种。主体120可以包括对于从发光器件150发射的光而言具有比透射率高的反射率的材料。主体120可以是树脂类绝缘材料。例如，主体120可以由树脂材料(例如，聚邻苯二甲酰胺(ppa)、环氧基树脂或硅树脂材料)、硅(si)、金属材料、光敏玻璃(psg)、蓝宝石(al2o3)和印刷电路板(pcb)中的至少一种形成。主体120可以包括具有预定曲率的外侧表面或者具有斜面(angularsurface)的外侧表面。例如，主体120可以具有圆形形状或多边形形状的俯视图。实施例的主体120将采用包括第一外侧表面121至第四外侧表面124的多边形形状作为示例进行描述。
主体120可以结合到第一引线框架130和第二引线框架140。主体120可以包括腔体125，腔体125被构造为使第一引线框架130和第二引线框架140的上表面的一部分暴露。
腔体125可以包括被构造为使第一引线框架130暴露的第一底表面125a以及被构造为使第二引线框架140暴露的第二底表面125b和第三底表面125c。第一底表面125a可以作为安装发光器件150的区域而对应于发光器件150的形状。第一底表面125a还可以包括连接保护装置160的引线的区域。第一底表面125a的边缘可以具有预定的曲率。第一底表面125a的具有曲率的边缘可以通过保持腔体125的内侧表面与发光器件150的预定间隔来改善光效率。第二底表面125b可以作为将发光器件150的引线连接到第二引线框架140的区域设置在与第一引线框架130相邻的区域中。第三底表面125c可以作为安装保护装置160的区域与第二底表面125b以预定的间隔隔开，但是不限于此。
主体120可以包括第一外侧表面121至第四外侧表面124，并可以具有矩形形状的俯视图。第一外侧表面121和第二外侧表面122可以沿第一方向x平行地设置。在实施例中，第一引线框架130和第二引线框架140的一部分可以从第一外侧表面121和第二外侧表面122暴露。在实施例中，第一引线框架130的第一侧部130a可以从第一外侧表面121暴露。在实施例中，第二引线框架140的第五侧部140a可以从第二外侧表面122暴露。第三外侧表面123和第四外侧表面124可以沿与第一方向x正交的第二方向y平行地设置。在实施例中，第一引线框架130和第二引线框架140不从第三外侧表面123和第四外侧表面124暴露。即，实施例的第一引线框架130和第二引线框架140可以设置在第三外侧表面123和第四外侧表面124的内侧处。
第一引线框架130和第二引线框架140可以以预定的间隔彼此隔开，并且结合到主体120。发光器件150可以安装在第一引线框架130上，并且保护装置160可以安装在第二引线框架140上。第一引线框架130和第二引线框架140可以沿第一方向x平行地设置。第一引线框架130的沿第一方向x的宽度可以大于第二引线框架140的沿第一方向x的宽度，但是不限于此。第一引线框架130和第二引线框架140可以包括导电材料。例如，第一引线框架130和第二引线框架140可以由钛(ti)、铜(cu)、镍(ni)、金(au)、铬(cr)、钽(ta)、铂(pt)、锡(sn)、银(ag)、磷(p)、铁(fe)、锌(zn)和铝(al)中的至少一种形成，并且可以形成为多个层。例如，实施例的第一引线框架130和第二引线框架140可以由含铜(cu)的基础层(baselayer)和用于覆盖基础层的含银(ag)的防氧化层组成，但是不限于此。
第一引线框架130可以包括第一侧部130a至第四侧部130d、其上安装有发光器件150的上表面130e以及在主体120的底表面上暴露的下表面130f。第一引线框架130可以包括从上表面130e穿透到下表面130f的第一通孔137和设置在下表面130f的边缘处的第一阶梯部136。第一侧部130a至第四侧部130d可以对应于第一引线框架130的整个外侧表面。第二侧部130b至第四侧部130d可以与第一阶梯部136接触。例如，第一阶梯部136可以从第二侧部130b至第四侧部130d设置在第一引线框架130的内侧处。
第一侧部130a可以对应于主体120的第一侧表面121。第一侧部130a可以从主体120的第一侧表面121暴露到外部。第一侧部130a可以从主体120的第一侧表面121沿向外方向突出。第一侧部130a可以从主体120的第一侧表面121暴露到外部。第一侧部130a可以包括向外突出的第一突出部分131。第一突出部分131可以设置在第一侧部130a的中心区域中。可以在第一突出部分131的两个端部处包括阶梯结构。阶梯结构可以沿第一突出部分131的第二方向y平行地布置，并可以从第一突出部分131延伸。虽然在附图中未详细示出，但是第一突出部分131的表面可以是含银(ag)的防氧化层。
第二侧部130b可以设置为与第二引线框架140相邻。第二侧部130b可以面对第二引线框架140的第六侧部140b。第二侧部130b未通过主体120暴露到外部。第一引线框架130可以在第二侧部130b的两个端部处包括沿第二方向y对称的第一边缘部138a和第二边缘部138b。第一边缘部138a和第二边缘部138b可以在将主体120与第一引线框架130和第二引线框架140结合的过程中提高形成主体120的可靠性。例如，主体120、第一引线框架130和第二引线框架140可以通过注射工艺来结合。第一边缘部138a和第二边缘部138b可以在主体120的注射工艺中改善进入第一引线框架130和第二引线框架140的间隔空间的注射流。在第一边缘部138a与第二侧部130b之间形成的第一倾斜角θ1可以为钝角。另外，第一边缘部138a与第三侧部130c之间的第二倾斜角θ2可以为钝角。第一倾斜角θ1和第二倾斜角θ2可以彼此相等或不同。例如，第一倾斜角θ1和第二倾斜角θ2可以为135度或更大。当第一倾斜角θ1和第二倾斜角θ2小于135度时，可能导致进入第一引线框架130和第二引线框架140的间隔空间的注射缺陷。随着第一边缘部138a和第二边缘部138b变得远离第二侧部130b，它们可以更接近第一侧部130a。第一边缘部138a和第二边缘部138b的第一宽度w1可以为50μm或更大。例如，第一边缘部138a和第二边缘部138b的第一宽度w1可以为50μm至500μm。当第一边缘部138a和第二边缘部138b的第一宽度w1小于50μm时，制造是困难的。当考虑发光器件封装100的总体尺寸时，尽管第一边缘部138a和第二边缘部138b的第一宽度w1不会超过500μm，但是第一边缘部138a和第二边缘部138b的第一宽度w1的上限可以基于发光器件封装100的总体尺寸的改变而改变。第二边缘部138b的倾斜角可以采用第一边缘部138a的特征。
第三侧部130c和第四侧部130d可以彼此对称，并且可以是平坦的表面。第三侧部130c和第四侧部130d未通过主体120暴露到外部。第三侧部130c和第四侧部130d可以设置在主体120中。
第三侧部130c可以设置在第一边缘部138a与第一侧部130a之间。第三侧部130c可以从第一边缘部138a开始延伸。第三侧部130c可以包括第七边缘部139a。第七边缘部139a可以从第一侧部130a开始延伸。第七边缘部139a的厚度可以与第一侧部130a的厚度相同。第七边缘部139a可以与第一侧部130a正交。第七边缘部139a与第一侧部139a之间的角可以是直角。
第四侧部130d可以设置在第二边缘部138b与第一侧部130a之间。第四侧部130d可以从第二边缘部138b开始延伸。第四侧部130d可以包括第八边缘部139b。第二边缘部139b可以从第一侧部130a开始延伸。第八边缘部139b的厚度可以与第一侧部130a的厚度相同。第八边缘部139b可以与第一侧部130a正交。第八边缘部139b与第一侧部130a之间的角可以是直角。
第七边缘部139a和第八边缘部139b可以包括沿第一方向x的相同的第二宽度w2，但是不限于此。第二宽度w2可以为200μm或更大。例如，第二宽度w2可以为200μm至500μm。当第二宽度w2小于200μm时，被构造为用于形成第一通孔137的空间可能不足。当省略第一通孔137时，第一引线框架130与主体120之间的结合力会减小。另外，当第二宽度w2小于200μm时，第一引线框架130的强度在切割工艺中会减小，并且第一引线框架130由于翘曲等而与主体120分离。
第一阶梯部136可以设置在第一引线框架130的下表面130f的边缘处。例如，实施例的第一阶梯部136可以设置在第二侧部130b至第四侧部130d下方。第一阶梯部136可以与第一侧部130a隔开。第一阶梯部136可以沿第一方向x与第七边缘部139a和第八边缘部139b隔开。第一阶梯部136从第七边缘部139a和第八边缘部139b开始延伸，但是不彼此叠置。第一阶梯部136可以在与第一边缘部138a和第二边缘部138b对应的区域中包括第三边缘部136a和第四边缘部136b。第三边缘部136a和第四边缘部136b可以与第一边缘部138a和第二边缘部138b以预定的间隔隔开并且与第一边缘部138a和第二边缘部138b平行。因为第一侧部130a暴露到外部并且外力通过切割工艺而集中，所以为了硬度，第一侧部130a可以与第一阶梯部136隔开。第一阶梯部136可以具有凹进的形状，并且其剖面可以是阶梯结构，但是不限于此。第一阶梯部136可以增大与主体120的接触面积，从而提高与主体120的结合力。另外，第一阶梯部136可以通过阶梯结构改善来自外部的湿气渗透。第一阶梯部136可以通过蚀刻第一引线框架130的下表面的边缘的一部分来形成，但是不限于此。第一阶梯部136的厚度可以是第一引线框架130的厚度的50％，但是不限于此。例如，第一阶梯部136的厚度可以是第一引线框架130的厚度的50％或更大。
第一通孔137可以从第一引线框架130的上表面130e穿透至下表面。第一通孔137可以设置为与第一侧部130a相邻。第一通孔137可以设置为与第七边缘部139a相邻。第一通孔137可以设置在第一引线框架130的与第一侧部130a相邻的拐角处，但是不限于此。第一通孔137可以包括第二阶梯部134。第二阶梯部134可以具有与第一阶梯部136对应的厚度。第一通孔137的第一直径d1可以为50μm或更大。例如，第一通孔139的第一直径d1可以为50μm至500μm。当第一通孔139的第一直径d1小于50μm时，不仅难以制造，而且与主体120的结合会劣化。
第二引线框架140可以包括第五侧部140a至第八侧部140d、其上安装有保护装置160的上表面140e以及在主体120的底表面上暴露的下表面140f。第五侧部140a至第八侧部140d可以是第二引线框架140的外侧表面。第二引线框架140可以包括从上表面140e穿透到下表面140f的第二通孔147和设置在下表面140f的边缘处的第三阶梯部146。
第五侧部140a可以对应于主体120的第二侧表面122。第五侧部140a可以从主体120的第二侧表面122暴露到外部。第五侧部140a可以从主体120的第二侧表面122沿向外方向突出。第五侧部140a可以从主体120的第二侧表面122暴露到外部。第五侧部140a可以包括向外突出的第二突出部分141。第二突出部分141可以设置在第五侧部140a的中心区域中。可以在第二突出部分141的两个端部处包括阶梯结构。阶梯结构可以沿第二突出部分141的第二方向y平行地布置，并可以从第二突出部分141开始延伸。尽管在附图中未详细示出，但是第二突出部分141的表面可以是含银(ag)的防氧化层。
第六侧部140b可以设置为与第一引线框架130相邻。第六侧部140b可以面对第一引线框架130的第二侧部130b。第六侧部140b未通过主体120暴露到外部。第二引线框架140可以在第六侧部140b的两个端部处包括沿第二方向y对称的第五边缘部148a和第六边缘部148b。第五边缘部148a和第六边缘部148b可以在将主体120与第一引线框架130和第二引线框架140结合的工艺中改善形成主体120的可靠性。例如，主体120、第一引线框架130和第二引线框架140可以通过注射工艺来结合。第五边缘部148a和第六边缘部148b可以在主体120的注射工艺中改善进入第一引线框架130与第二引线框架140的间隔空间的注射流。在第五边缘部148a与第六侧部140b之间形成的第三倾斜角可以为钝角。另外，在第五边缘部148a与第七侧部140c之间形成的第四倾斜角可以为钝角。第三倾斜角和第四倾斜角可以彼此相等或不同。例如，第三倾斜角和第四倾斜角可以为135度或更大。当第三倾斜角和第四倾斜角小于135度时，可能导致进入第一引线框架130与第二引线框架140的间隔空间的注射缺陷。随着第五边缘部148a和第六边缘部148b变得远离第六侧部140b，它们可以更接近第五侧部140a。第五边缘部148a和第六边缘部148b的宽度可以为50μm或更大。例如，第五边缘部148a和第六边缘部148b的宽度可以为50μm至500μm。当第五边缘部148a和第六边缘部148b的宽度小于50μm时，制造是困难的。当考虑到发光器件封装100的总体尺寸时，尽管第五边缘部148a和第六边缘部148b的宽度不会超过500μm，但是第五边缘部148a和第六边缘部148b的宽度的上限可以基于发光器件封装100的总体尺寸的改变而改变。第六边缘部148b的倾斜角可以采用第五边缘部148a的特征。第五边缘部148a可以与第一边缘部138a相对。第五边缘部148a可以面对第一边缘部138a。第六边缘部148b可以与第二边缘部138b相对。第六边缘部148b可以面对第二边缘部138b。
第七侧部140c和第八侧部140d可以彼此对称，并且可以是平坦的表面。第七侧部140c和第八侧部140d未通过主体120暴露到外部。第七侧部140c和第八侧部140d可以设置在主体120中。
第七侧部140c可以设置在第五边缘部148a与第五侧部140a之间。第七侧部140c可以从第五边缘部148a开始延伸。第七侧部140c可以包括第九边缘部149a。第九边缘部149a可以从第五侧部140a开始延伸。第九边缘部149a的厚度可以与第五侧部140a的厚度相同。第九边缘部149a可以与第五侧部140a正交。第九边缘部149a与第五侧部140a之间的角可以为直角。
第八侧部140d可以设置在第六边缘部148b与第五侧部140a之间。第八侧部140d可以从第六边缘部148b开始延伸。第八侧部140d可以包括第十边缘部149b。第十边缘部149b可以从第五侧部140a开始延伸。第十边缘部149b的厚度可以与第五侧部140a的厚度相同。第十边缘部149b可以与第五侧部140a正交。第十边缘部149b与第五侧部140a之间的角可以为直角。
第九边缘部149a和第十边缘部149b可以包括沿第一方向x的相同的第三宽度w3，但是不限于此。第三宽度w3可以为200μm或更大。例如，第三宽度w3可以为200μm至500μm。当第三宽度w3小于200μm时，被构造为用于形成第二通孔147的空间可能不足。当省略第二通孔147时，第二引线框架140与主体120之间的结合力会减小。另外，当第三宽度w3小于200μm时，第二引线框架140的强度在切割工艺中会减小，并且第二引线框架140由于翘曲等而会与主体120分离。实施例的第三宽度w3可以小于第二宽度w2，但是不限于此。
第三阶梯部146可以设置在第二引线框架140的下表面140f的边缘处。实施例的第三阶梯部146可以设置在第六侧部140b至第八侧部140d下方。第三阶梯部146可以以预定的间隔与第五侧部140a隔开。第三阶梯部146可以在第一方向x上与第九边缘部149a和第十边缘部149b隔开。第三阶梯部146从第九边缘部149a和第十边缘部149b延伸，但是不彼此叠置。第三阶梯部146可以在与第五边缘部148a和第六边缘部148b对应的区域中包括第七边缘部146a和第八边缘部146b。第七边缘部146a和第八边缘部146b可以以预定的间隔与第五边缘部148a和第六边缘部148b隔开，并且平行于第五边缘部148a和第六边缘部148b。因为第五部140a暴露到外部并且外力通过切割工艺而集中，所以为了硬度，第五部140a可以与第三阶梯部146隔开。第三阶梯部146可以是凹进的形状，并且其剖面可以是阶梯结构，但是不限于此。第三阶梯部146可以增大与主体120的接触面积，以提高与主体120的结合力。另外，第三阶梯部146可以通过阶梯结构改善来自外部的湿气渗透。第三阶梯部146可以通过蚀刻第二引线框架140的下表面的边缘的一部分来形成，但是不限于此。第三阶梯部146的厚度可以为第二引线框架140的厚度的50％，但是不限于此。例如，第三阶梯部146的厚度可以为第二引线框架140的厚度的50％或更多。
第二通孔147可以从第二引线框架140的上表面140e穿透到下表面140f。第二通孔147可以设置为与第五侧部140a相邻。第二通孔147可以设置在第九边缘部149a与第十边缘部149b之间，但是不限于此。第二通孔147可以包括第四阶梯部144。第四阶梯部144可以具有与第三阶梯部146对应的厚度。第二通孔147的第二直径d2可以为50μm或更大。例如，第二直径d2可以为50μm至500μm。当第二直径d2小于50μm时，不仅制造会是困难的，而且与主体120的结合力也会劣化。
实施例的第一至第四阶梯部136、134、146和144可以在第一方向x上包括50μm至500μm的宽度。
实施例提出了这样的结构，即，第三侧部130c与第七侧部140c以及第四侧部130d与第八侧部140d的第二间隔i2由于第一边缘部138a、第二边缘部138b、第五边缘部148a和第六边缘部148b而比第一引线框架130和第二引线框架140的彼此面对的第二侧部130b与第六侧部140b的隔开的第一间隔i1宽，因此，可以改善第一引线框架130与第二引线框架140之间的间隔空间的注射成型。例如，第一间隔i1可以是第二间隔i2的50％或更少。
即，在实施例中，第一边缘部138a、第二边缘部138b、第五边缘部148a和第六边缘部148b可以围绕第一引线框架130与第二引线框架140的间隔空间设置，以改善注射成型缺陷，由此提高产率。
实施例的发光器件封装100可以在暴露第一引线框架130和第二引线框架140的第一侧部130a和第五侧部140a周围包括具有与第一侧部130a和第五侧部140a的厚度相同的厚度的第七边缘部139a、第八边缘部139b、第九边缘部149a和第十边缘部149b，因此可以提高第一引线框架130和第二引线框架140的硬度。即，通过设置在第一引线框架130和第二引线框架140的下表面130f和140f的边缘处的第一阶梯部136和第三阶梯部146以及第七边缘部139a、第八边缘部139b、第九边缘部149a和第十边缘部149b的结构，可以提高第一引线框架130和第二引线框架140的硬度，并且可以提高与主体120的结合力。
另外，实施例提出了这样的结构，即，第三侧部130c与第七侧部140c以及第四侧部130d与第八侧部140d的第二间隔i2由于第一边缘部138a、第二边缘部138b、第五边缘部148a和第六边缘部148b而比第一引线框架130和第二引线框架140的彼此面对的第二侧部130b与第六侧部140b的隔开的第一间隔i1宽，因此，可以改善第一引线框架130与第二引线框架140之间的间隔空间的注射成型。
即，在实施例中，第一边缘部138a、第二边缘部138b、第五边缘部148a和第六边缘部148b可以设置在第一引线框架130与第二引线框架140的间隔空间周围，以改善注射成型缺陷，由此提高产率。
在实施例中，具有矩形结构的剖面的第一阶梯部136、第二阶梯部134、第三阶梯部146和第四阶梯部144限于所描述的，但是不限于此。
图7是示出根据另一实施例的发光器件封装的剖视图。
如图7所示，根据另一实施例的发光器件封装可以包括具有弯曲结构的剖面的第一阶梯部236、第二阶梯部234、第三阶梯部246和第四阶梯部244。
除了弯曲结构的剖面之外，第一阶梯部236、第二阶梯部234、第三阶梯部246和第四阶梯部244可以采用图1至图6的技术特征。
图8是示出根据另一实施例的第一引线框架和第二引线框架的平面图。
如图8所示，除了第一引线框架230的第一曲面部238a和第二曲面部238b以及第二引线框架240的第三曲面部248a和第四曲面部248b，根据另一实施例的发光器件封装可以采用根据图1至图6的实施例的发光器件封装100的技术特征。
第一曲面部238a和第二曲面部238b可以设置在第二侧部130b的两个端部处。第一曲面部238a和第二曲面部238b可以在第二方向y上是对称的。第一曲面部238a和第二曲面部238b可以在将主体120与第一引线框架230和第二引线框架240结合的工艺中提高形成主体120的可靠性。例如，可以通过注射工艺来结合主体120、第一引线框架230和第二引线框架240。第一曲面部238a和第二曲面部238b可以在主体120的注射工艺中改善进入第一引线框架230和第二引线框架240的间隔空间的注射流。第一曲面部238a和第二曲面部238b可以具有预定的曲率。第一曲面部238a和第二曲面部238b可以具有相同的曲率，但是不限于此。
第三曲面部248a和第四曲面部248b可以设置在第六侧部140b的两个端部处。第三曲面部248a和第四曲面部248b可以在第二方向y上是对称的。第三曲面部248a和第四曲面部248b可以在将主体120与第一引线框架230和第二引线框架240结合的工艺中提高形成主体120的可靠性。例如，可以通过注射工艺来结合主体120、第一引线框架230和第二引线框架240。第三曲面部248a和第四曲面部248b可以在主体120的注射工艺中改善进入第一引线框架230和第二引线框架240的间隔空间的注射流。第三曲面部248a和第四曲面部248b可以具有预定的曲率。第三曲面部248a和第四曲面部248b可以具有相同的曲率，但是不限于此。第三曲面部248a可以与第一曲面部238a相对。第三曲面部248a可以面对第一曲面部238a。第四曲面部248b可以与第二曲面部238b相对。第四曲面部248b可以面对第二曲面部238b。
另一实施例提出了这样的结构，即，第三侧部130c与第七侧部140c以及第四侧部130d与第八侧部140d的第二间隔i2由于第一曲面部238a、第二曲面部238b、第三曲面部248a和第四曲面部248b而比第一引线框架230和第二引线框架240的彼此面对的第二侧部130b与第六侧部140b的隔开的第一间隔i1宽，因此，可以改善第一引线框架130与第二引线框架140之间的间隔空间的注射成型。
即，在实施例中，第一曲面部238a、第二曲面部238b、第三曲面部248a和第四曲面部248b可以设置在第一引线框架230和第二引线框架240的间隔空间周围，以改善注射成型缺陷，由此提高产率。
图9是示出根据又一实施例的图2的区域a的视图。
如图9所示，又一实施例提供了一种发光器件封装，其能够提高主体120的注射成型的可靠性并提高光提取效率。
又一实施例的主体120可以包括光透射材料、反射材料和绝缘材料中的至少一种。主体120可以包括对于从发光器件150发射的光而言具有比透射率高的反射率的材料。主体120可以是树脂类绝缘材料。例如，主体120可以由树脂材料(例如，聚邻苯二甲酰胺(ppa)、环氧基树脂或硅树脂材料)、硅(si)、金属材料、光敏玻璃(psg)、蓝宝石(al2o3)和印刷电路板(pcb)中的至少一种形成。主体120可以包括具有预定曲率的外侧表面或者具有斜面的外侧表面。例如，主体120可以具有圆形形状或多边形形状的俯视图。实施例的主体120将采用包括第一外侧表面121至第四外侧表面124的多边形形状作为示例进行描述。
主体120可以结合到第一引线框架130和第二引线框架140。主体120可以包括腔体125，在腔体125中暴露第一引线框架130和第二引线框架140的上表面的一部分。
腔体125可以包括第一内侧表面126a至第四内侧表面126d，并且可以包括被构造为暴露第一引线框架130的第一底表面125a以及被构造为暴露第二引线框架140的第二底表面125b和第三底表面125c。这里，第一底表面125a可以对应于由第一内侧表面126a至第四内侧表面126d暴露的第一引线框架130。第二底表面125b和第三底表面125c可以对应于从第二内侧表面126b暴露的第二引线框架140。
第一内侧表面126a可以在第一方向x上面对第二内侧表面126b。第一内侧表面126a和第二内侧表面126b可以从第一底表面125a倾斜，并设置为彼此对称。第三内侧表面126c可以在第二方向y上面对第四内侧表面126d。第三内侧表面126c和第四内侧表面126d可以从第一底表面125a倾斜并设置为彼此对称。腔体125的第一内侧表面126a可以面对发光器件150的第一侧表面150a。腔体125的第二内侧表面126b可以面对发光器件150的第二侧表面150b。腔体125的第三内侧表面126c可以面对发光器件150的第三侧表面150c。腔体125的第四内侧表面126d可以面对发光器件150的第四侧表面150d。腔体125的第一内侧表面126a至第四内侧表面126d可以与发光器件150的第一侧表面150a至第四侧表面150d以预定的间隔设置。
腔体125可以包括位于第一内侧表面126a与第三内侧表面126c之间的第一拐角127a、位于第一内侧表面126a与第四内侧表面126d之间的第二拐角127b、位于第二内侧表面126b与第四内侧表面126d之间的第三拐角127c、以及位于第二内侧表面126b与第三内侧表面126c之间的第四拐角127d。
第一拐角127a可以包括与发光器件150具有预定间隔的第一曲率r1。第一曲率r1可以为50μm或更大。在实施例中，通过具有50μm或更大的第一曲率r1的第一拐角127a，可以在注射工艺中改善围绕第一拐角127a的注射流，由此改善裂纹缺陷。
第二拐角127b可以包括与发光器件150具有预定间隔的第二曲率r2。第二曲率r2可以为50μm或更大。第一曲率r1和第二曲率r2可以是相同的曲率，但是不限于此。在实施例中，通过具有50μm或更大的第二曲率r2的第二拐角127b，可以在注射工艺中改善围绕第二拐角127b的注射流，由此改善裂纹缺陷。
第三拐角127c可以包括第三曲率r3。第三曲率r3可以为50μm或更大，但是不限于此。例如，第三曲率r3可以与第一曲率r1和第二曲率r2相同，但是不限于此。在实施例中，通过具有50μm或更大的第三曲率r3的第三拐角127c，可以在注射工艺中改善围绕第三拐角127c的注射流，由此改善裂纹缺陷。
第四拐角127d可以包括第四曲率r4。第四曲率r4可以为50μm或更大，但是不限于此。第四曲率r4可以与第一曲率r1和第二曲率r2相同，但是不限于此。第三曲率r3和第四曲率r4可以是相同的曲率，但是不限于此。在实施例中，通过具有50μm或更大的第四曲率r4的第四拐角127d，可以在注射工艺中改善围绕第四拐角127d的注射流，由此改善裂纹缺陷。
腔体125可以包括从第三拐角127c延伸的第一引线凹进部127e和从第四拐角127d延伸的第二引线凹进部127f。
第一引线凹进部127e可以在从腔体125的第三拐角127c到第二内侧表面126b的方向上设置。第一引线凹进部127e可以暴露出连接到发光器件150的第一引线150w的第二引线框架140。第一引线凹进部127e可以包括第五曲率r5。第五曲率r5可以为50μm或更大。第五曲率r5可以小于第一曲率r1至第四曲率r4，但是不限于此。在实施例中，通过具有50μm或更大的第五曲率r5的第一引线凹进部127e，可以在注射工艺中改善围绕第一引线凹进部127e的注射流，由此改善裂纹缺陷。
第二引线凹进部127f可以在从腔体125的第四拐角127d到第三内侧表面126c的方向上设置。第二引线凹进部127f可以暴露出连接到保护装置160的第二引线160w的第一引线框架130。第二引线凹进部127f可以包括第六曲率r6。第六曲率r6可以为50μm或更大。第五曲率r5和第六曲率r6可以是相同的曲率，但是不限于此。第五曲率r5可以小于第一曲率r1至第四曲率r4，但是不限于此。在实施例中，通过具有50μm或更大的第六曲率r6的第二引线凹进部127f，可以在注射工艺中改善围绕第二引线凹进部127f的注射流，由此改善裂纹缺陷。
主体120可以包括第一外侧表面121至第四外侧表面124，并可以具有矩形形状的俯视图。第一外侧表面121和第二外侧表面122可以沿第一方向x平行地设置。在实施例中，第一引线框架130和第二引线框架140的一部分可以从第一外侧表面121和第二外侧表面122开始暴露。在实施例中，第一引线框架130的第一突出部分131可以从第一外侧表面121开始暴露。在实施例中，第二引线框架140的第二突出部分141可以从第二外侧表面122开始暴露。第一突出部分131和第二突出部分141可以沿与第一方向x正交的第二方向y平行地设置。
又一实施例的发光器件封装可以通过构造为暴露了第一引线框架130和第二引线框架140的腔体125的具有第一曲率r1至第四曲率r4的第一拐角127a至第四拐角127d来改善可能在腔体125的边缘区域中发生的诸如裂纹的缺陷。即，实施例可以提高用于将主体120与第一引线框架130和第二引线框架140结合的注射成型的可靠性。
另外，在又一实施例中，在其中设置发光器件150的第一引线150w的第一引线凹进部127e和在其中设置保护装置160的第二引线160w的第二引线凹进部127f可以分别包括预定的第五曲率r5和第六曲率r6，因此，可以在主体120的注射工艺中改善诸如裂纹的缺陷。
另外，在又一实施例中，总体上均匀地保持腔体120的内侧表面与发光器件150之间的间隔，因此，可以在腔体120的拐角区域中改善光损失。即，在实施例中，可以提高光提取效率。
<发光芯片>
图10是示出在实施例的发光封装件中提供的发光芯片的剖视图。
如图10所示，发光芯片包括基底511、缓冲层512、发光结构510、第一电极516和第二电极517。基底511可以是半透明的或不透明的材料，并可以包括导电或绝缘基底。
缓冲层512减小基底511和发光结构510的材料的晶格常数之间的差异，并可以由氮化物半导体形成。可以在缓冲层512与发光结构510之间进一步形成未被掺杂剂掺杂的氮化物半导体层，以改善晶体的品质。
发光结构510包括第一导电半导体层513、有源层514和第二导电半导体层515。
例如，发光结构可以通过复合半导体(例如ii族-iv族和iii族-v族)来实现。第一导电半导体层513可以是单层的或多层的。第一导电半导体层513可以用第一导电掺杂剂掺杂。例如，当第一导电半导体层513是n型半导体层时，其可以包括n型掺杂剂。例如，n型掺杂剂可以包括si、ge、sn、se和te，但本公开不限于此。第一导电半导体层513可以包括实验式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第一导电半导体层513可以包括层的堆叠结构，所述层包括gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的至少一种。
第一覆层可以形成在第一导电半导体层513与有源层514之间。第一覆层可以由基于gan的半导体形成，第一覆层的带隙可以不小于有源层514的带隙。第一覆层可以由第一导电型形成，并可以包括限制载流子的功能。
有源层514布置在第一导电半导体层513上，并选择性地包括单量子阱结构、多量子阱(mqw)结构、量子线结构和量子点结构。有源层514包括阱层和势垒层的周期。阱层包括实验式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，势垒层可以包括实验式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，阱层和势垒层的一个或更多周期可以通过使用ingan/gan、gan/algan、ingan/algan、ingan/ingan或inalgan/inalgan的堆叠结构来形成。势垒层可以由其带隙大于阱层的带隙的半导体材料形成。
第二导电半导体层515形成在有源层514上。第二导电半导体层515可以通过半导体复合物(例如ii-族和iv族以及iii族-v族复合物半导体)来实现。第二导电半导体层515可以是单层的或多层的。当第二导电半导体层515是p型半导体层时，第二导电掺杂剂为p型掺杂剂，并且可以包括mg、zn、ca、sr和ba。第二导电半导体层515可以用第二导电掺杂剂进行掺杂。第一导电半导体层515可以包括实验式inxalyga1-x-yn(0≤x≤2，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第二导电半导体层515可以包括gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的任何一种。
第二导电半导体层515可以包括超晶格结构，该超晶格结构可以包括ingan/gan超晶格结构或algan/gan超晶格结构。第二导电半导体层515的超晶格结构使包含在电压中的电流异常地扩散，并可以保护有源层514。
已经描述了第一导电半导体层513是n型半导体层以及第二导电半导体层515是p型半导体层，但是第一导电半导体层513可以是p型半导体层以及第二导电半导体层515是n型半导体层，本公开对此不作限制。极性与第二导电型的极性相反的半导体(例如n型半导体层(未示出))可以形成在第二导电半导体层515上。因此，发光结构510可以用n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构和p-n-p结结构中的任何一种来实现。
第一电极516布置在第一导电半导体层513上，具有电流扩散层的第二电极517设置在第二导电半导体层515上。
<发光芯片>
图11是示出在实施例的发光封装件中提供的发光芯片的另一示例的剖面图。
如图11所示，在第二示例中将省略与图9的发光芯片的构造相同的描述。在第二示例的发光芯片中，接触层521可以布置在发光结构510下方，反射层524可以布置在接触层521下方，支撑构件525可以布置在反射层524下方，以及保护层523可以布置在反射层524和发光结构510周围。
在发光芯片中，接触层521和保护层523、反射层524以及支撑构件525可以布置在第二导电半导体层515下方。
接触层521可以与发光结构510(例如，第二导电半导体层515)的下表面欧姆接触。接触层521可以由从金属氮化物、绝缘材料和导电材料中选择的材料形成，并且例如可以由包括例如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌铟锡氧化物(izto)、铟铝锌氧化物(iazo)、铟镓锌氧化物(igzo)、铟镓锡氧化物(igto)、铝锌氧化物(azo)、锑锡氧化物(ato)、镓锌氧化物(gzo)、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf、它们的选择性组合在内的材料来形成。此外，接触层521通过使用金属材料和半透明导电材料(例如izo、izto、iazo、igzo、igto、azo或ato)而可以是多层的，并且例如可以具有izo/ni、azo/ag、izo/ag/ni和azo/ag/ni的堆叠结构。可以在接触层521的内部进一步形成与电极516对应的用于阻挡电流的电流阻挡层。
保护层523可以由从金属氧化物、绝缘材料和导电材料中选择的材料来形成，并且例如可以由包括例如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌铟锡氧化物(izto)、铟铝锌氧化物(iazo)、铟镓锌氧化物(igzo)、铟镓锡氧化物(igto)、铝锌氧化物(azo)、锑锡氧化物(ato)、镓锌氧化物(gzo)、sio2、siox、sioxny、si3n4、al2o3和tio2的材料来形成。保护层523可以通过使用溅射或沉积来形成，并可以防止诸如反射层524的金属与发光结构510的层发生短路。
反射层524可以包括金属。例如，反射层524可以由ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf或它们的选择性组合来形成。反射层524可以具有比发光结构510的宽度大的宽度，以提高光反射效率。可以在反射层524与支撑构件525之间进一步布置用于接合的金属层、用于扩散热的金属层等，但本公开不限于此。
支撑构件525是基础基底，并可以用金属(例如，铜(cu)、金(au)、镍(ni)、钼(mo)或铜-钨(cu-w)或载体晶片(例如，si、ge、gaas、zno或sic)来实现。可以在支撑构件525和反射层524之间进一步形成接合层。
<照明系统>
图12是示出包括实施例的发光封装件的显示装置的透视图。
如图12所示，实施例的显示装置1000可以包括导光板1041、将光提供给导光板1041的光源模块1031、位于导光板1041下方的反射构件1022、位于导光板上的光学片1051、位于光学片1051上的显示面板1061以及容纳导光板1041、光源模块1031和反射构件1022的底盖1011。
底盖1011、反射片1022、导光板1041和光学片1051可以被定义为照明单元1050。
导光板1041用于扩散光，以提供表面光源。导光板1041由透明材料形成，并且例如可以包括丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma))以及包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、环烯烃共聚物(coc)和聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)的树脂中的任何一种。
光源模块1031将光提供给导光板1041的至少一个表面，并最终应用为显示装置的光源。
提供至少一个光源模块1031，以直接地或间接地从导光板1041的一个侧表面提供光。光源模块1031可以包括根据实施例的发光封装件100，并且多个发光封装件100可以以间隙彼此间隔地布置到板1033上。
板1033可以是包括电路图案(未示出)的印刷电路板(pcb)。然而，板1033可以包括金属芯pcb(mcpcb)和柔性pcb(fpcb)以及一般的pcb，但本公开不限于此。发光封装件100可以直接布置在底盖1011的侧表面或者散热板上。
反射构件1022可以设置在导光板1041下方。反射构件1022可以将输入的光反射到导光板1041的下表面，以提高照明单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以由pet、pc或pvc形成，但本公开不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、光源模块1031和反射构件1022。底盖1011可以包括具有顶部开口的盒形状的容纳部1012，但本公开不限于此。底盖1011可以耦接到顶盖，但本公开不限于此。
底盖1011可以由金属或树脂形成，并且可以通过使用诸如压制或挤压的工艺来制造。此外，底盖1011可以包括导电金属或非金属。
例如，显示面板1061是lcd面板，并且可以包括彼此相对的第一透明基底和第二透明基底、以及置于第一基底和第二基底之间的液晶层。偏振板可以布置在显示面板1061的至少一个表面上。显示面板1061通过穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以应用于各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上型计算机的监视器或者电视机。
光学片1051可以布置在显示面板1061与导光板1041之间。光学片1051可以包括至少一个半透明片。例如，光学片1051可以包括漫射片、至少一个棱镜片和保护片中的至少一个。漫射片可以包括漫射输入的光的功能。棱镜片可以包括将输入的光会聚到显示区域的功能。保护片可以包括保护棱镜片的功能。
<照明装置>
图13是示出包括实施例的发光封装件的显示装置的另一示例的剖视图。
如图13所示，第二示例的显示装置1100可以包括底盖1152、其上安装有发光封装件100的板1120、光学构件1154和显示面板1155。
板1120和发光封装件100可以被定义为光源模块1160。底盖1152、至少一个光源模块1160和光学构件1154可以被定义为照明单元1150。底盖1152可以耦接到顶盖，但本公开不限于此。光源模块1160可以包括板1120和布置在板1120上的多个发光封装件100。
这里，光学构件1154可以包括透镜、漫射板、漫射片、棱镜片和保护片中的至少一个。漫射板可以由pc或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)形成。漫射片可以漫射输入的光，棱镜片可以将输入的光会聚到显示区域，保护片可以保护棱镜片。
光学构件1154布置在光源模块1060上以作为表面光源而使用来自光源模块1160的光，并且将光进行漫射和会聚。
上面描述的发光装置由发光器件封装组成，并且可以用作照明系统的光源，例如，可以用作图像显示装置或照明装置的光源。
当使用发光装置作为图像显示装置的背光单元时，其可以用作边缘型背光单元或直下型背光单元。当使用发光装置作为照明装置的光源时，其可以用作灯或灯泡类型，并且可以用作移动终端的光源。
除了上面描述的发光二极管之外，发光装置还包括激光二极管。
与发光装置类似，激光二极管可以包括具有上述结构的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。在将p-型第一导电半导体与n-型第二导电半导体结合之后，可以利用当电流流动时发射光的电致发光现象，但是发射的光的方向和相位存在差异。即，激光二极管可以通过利用被称为受激发射的现象并加强干涉现象而发射在一个特定波长(单色束)下在相同方向上具有相同相位的光，并且可以由于这些特性而用于光学通信、医疗设备、半导体处理设备等。
作为光接收装置的示例，存在作为一种换能器的光电检测器，其检测光并将光的强度转换为电信号。作为这样的光电检测器，有光电池(例如硅或硒)、光导电器件(例如硫化镉或硒化镉)、光电二极管(例如可见盲光谱区域或峰值波长为真的盲光谱区域内的pd)、光电晶体管、光电子放大管、光电管(例如，真空或填充有气体)、红外(ir)检测器等，但是实施例不限于此。
另外，诸如光电检测器的半导体装置通常可以通过使用具有优异的光转换效率的直接带隙半导体来制造。或者，光电检测器具有各种结构，最普通的结构包括使用p-n结的管脚型(pin-type)光电检测器、使用肖特基结的肖特基型光电检测器和金属-半导体-金属(msm)型光电检测器等。
与发光装置类似，光电二极管可以包括具有上述结构的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且可以形成为p-n结或管脚(pin)结构。光电二极管通过施加反向偏压或零偏压进行操作。当光入射到光电二极管上时，产生电子和空穴并且电流流动。此时，电流的大小可以近似与入射在光电二极管上的光的强度成比例。
光伏电池或太阳能电池是一种可以将光转换为电流的光电二极管。类似于发光装置，太阳能电池可以包括具有上述结构的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。
另外，它可以通过使用p-n结的一般二极管的整流特性而用作电子电路的整流器，并且可以通过应用于微波电路而应用于振荡电路等。
另外，上面描述的半导体器件不一定实现为半导体，并且在一些情况下还可以包含金属材料。例如，诸如光接收装置的半导体器件可以使用ag、al、au、in、ga、n、zn、se、p和as中的至少一种来实现，或者可以使用掺杂有p型或n型掺杂剂的半导体材料或本征半导体材料来实现。以上对本发明的描述仅仅是示例。对于本领域的普通技术人员来说将显而易见的是，在不改变本发明的技术思想或基本特征的情况下，本发明可以容易地以许多不同的形式实施。例如，这里描述的示例性实施例的器件可以被修改和实现。另外，应该认为，与这些变化和应用有关的差别包括在所附权利要求书中限定的本发明的范围内。