发光元件封装结构及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种发光元件封装结构及其制作方法。
【背景技术】
[0002]—般来说，发光二极管封装结构通常是将发光二极管芯片配置于由陶瓷材料或金属材料所形成的凹杯型态的承载基座上，以固定及支撑发光二极管芯片。之后，再使用封装胶体来包覆发光二极管芯片，而完成发光二极管封装结构的制作。此时，发光二极管芯片的电极是位于承载基座的上方并位于凹杯内。然而，凹杯型态的承载基座具有一定的厚度，而使得发光二极管封装结构的厚度无法有效降低，因而使发光二极管封装结构无法满足现今薄型化的需求。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种发光元件封装结构及其制作方法，其无需采用现有的承载支架，可具有较薄的封装厚度且符合薄型化的需求。
[0004]本发明的发光元件封装结构，其包括一发光元件以及一保护件。发光元件具有彼此相对的一上表面与一下表面、一连接上表面与下表面的侧表面以及位于下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫。保护件包覆发光元件的侧表面且暴露出发光元件的至少部分上表面及暴露出第一电极垫的至少部分一第一底面以及第二电极垫的至少部分一第二底面。
[0005]本发明的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。将多个间隔排列的发光元件配置于一基板上，其中各发光元件具有位于下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫，而第一电极垫与第二电极垫设置在基板上。形成一保护件以包覆各发光元件。移除部分保护件，以暴露出各发光元件的一上表面。进行一切割程序，以切割保护件，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中各发光元件封装结构分别具有至少一个发光元件以及包覆发光元件的一侧表面且暴露出上表面的保护件。移除基板，以暴露各发光元件封装结构的保护件的一底面，以及暴露第一电极垫的一第一底面以及第二电极垫的一第二底面。
[0006]本发明的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。将多个间隔排列的发光元件配置于一基板上，其中各发光元件具有位于一下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫，而各发光元件的一上表面设置在基板上。形成一保护件以包覆各发光元件。移除部分保护件，以暴露出各发光元件的第一电极垫的一第一底面以及第二电极垫的一第二底面。形成一延伸电极层，与各发光元件的第一电极垫以及第二电极垫电性连接。进行一切割程序，以切割保护件与延伸电极层，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中各发光元件封装结构分别具有至少一个发光元件、至少包覆发光元件的侧表面的保护件、一第一延伸电极以及一第二延伸电极，而第一延伸电极与第二延伸电极彼此分离且覆盖保护件的至少部分一底面。
[0007]基于上述，由于本发明的保护件包覆发光元件的侧表面，且保护件的底面切齐于发光元件的第一电极垫的第一底面以及第二电极垫的第二底面。因此，本发明的发光元件封装结构不但不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光元件，而可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光元件的正向出光效率。
[0008]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0009]图1为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0010]图2为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0011]图3为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0012]图4为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0013]图5为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0014]图6为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0015]图7为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0016]图8为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0017]图9为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
[0018]图1OA至图1OD为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图；
[0019]图1lA至图1lC为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；
[0020]图12A至图12E为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图；
[0021]图13A至图13D为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。
[0022]附图标记说明:
[0023]10:基板；
[0024]20:另一基板；
[0025]100a、100b、100c、100d、100e、10f、100g、100h、101:发光元件封装结构；
[0026]IlOaUlOb:发光元件；
[0027]112a、112b:上表面；
[0028]113:第一电极垫；
[0029]113a:第一底面；
[0030]114a、114b:下表面；
[0031]115:第二电极垫；
[0032]115a:第二底面；
[0033]116a、116b:侧表面；
[0034]120、120’:保护件；
[0035]122:顶面；
[0036]124:底面；
[0037]130d、130e:第一延伸电极；
[0038]140d、140e:第二延伸电极；
[0039]150:封装胶层；
[0040]160、160’:透光层；；
[0041]L:切割线;;
[0042]E:延伸电极层。
【具体实施方式】
[0043]图1为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请先参考图1，在本实施例中，发光元件封装结构10a包括一发光元件IlOa以及一保护件120。发光元件IlOa具有彼此相对的一上表面112a与一下表面114a、一连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115。保护件120包覆发光元件IlOa的侧表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一电极垫113的至少部分一第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分一第二底面115a。
[0044]更具体来说，如图1所示，本实施例的发光元件IlOa的上表面112a与保护件120的一顶面122切齐，保护件120的一底面124与第一电极垫113的一第一底面113a以及第二电极垫115的一第二底面115a切齐，且保护件120可覆盖或曝露出发光元件IlOa位于第一电极垫113与一第二电极垫115之间的下表面114a。在本实施例中，发光兀件IlOa的侦U表面116a垂直于上表面112a与下表面114a，但并不以此为限，而发光元件IlOa例如是发光二极管，该发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，该发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。
[0045]保护件120的反射率至少大于90%，也就是说，本实施例的保护件120具有高反射率的特性，其中保护件120的材质为包括一掺有高反射粒子的高分子材料，该高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(T12)粉末，而该高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。此外，本实施例的发光元件IlOa的第一电极垫113与第二电极垫115的材质为一金属材料或金属合金，例如是金、铝、锡、银、铋、铟或其组合，但不以此为限。
[0046]在本实施例中，保护件120包覆发光元件IlOa的侧表面116a，且曝露出发光元件I 1a的第一电极垫113的第一底面113a以及第二电极垫115的第二底面115a，发光元件封装结构10a不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光元件110a，而可有效减少封装厚度以及制作成本，同时，也可通过具有高反射率的保护件120来有效提高发光元件IlOa的正向出光效率。
[0047]在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
[0048]图2为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图1与图2，本实施例的发光元件封装结构10b与图1中的发光元件封装结构10a的主要差异之处在于:本实施例的发光元件IlOb的侧表面116b并非垂直于上表面112b与下表面114b，本实施例中发光元件10b的上表面