lOa的发光面，即上表面112a是相对远离基板10。在本实施例中，基板10的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。发光元件IlOa例如是发光二极管，该发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，该发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。
[0063]接着，请参考图10B，形成一保护件120’于基板10上，其中保护件120’包覆每一发光元件110a。也就是说，保护件120’完全且直接覆盖发光元件IlOa的上表面112a、下表面114a以及侧表面116a，且填满第一电极垫113与第二电极垫115之间的空隙。此处，保护件120’的反射率至少大于90%，也就是说，本实施例的保护件120’可具有高反射率的特性，其中保护件120’的材质包括一掺杂高反射粒子的高分子材料，该高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(T12)粉末，而该高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。
[0064]接着，请参考图10C，移除部分保护件120’，而形成保护件120，其中保护件120暴露出每一发光元件IlOa的至少部分上表面112a。此时，每一发光元件IlOa的上表面112a可能切齐于保护件120的顶面122。此处，移除部分保护件120’的方法包括例如是研磨法或抛光法。
[0065]之后，请参考图10D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100a，其中每一发光元件封装结构10a分别具有至少一个发光元件IlOa以及保护件120，保护件120包覆发光元件IlOa的侧表面116a且暴露出其至少部分上表面112a。
[0066]最后，请再参考图10D，移除基板10，以暴露每一发光兀件封装结构10a的保护件120的底面124，并曝露出每一发光元件封装结构10a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。
[0067]图1lA至图1lC为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光元件封装结构的制作方法与上述图1OA至图1OD中的发光元件封装结构的制作方法的主要差异之处在于:于图1OC与图1OD的步骤之间，意即在移除部分保护件120’之后，且在进行切割程序之前，请参考图11A，形成封装胶层150于发光元件IlOa与保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光元件IlOa的上表面112a与保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(T12)或二氧化硅(S12),以增加出光效率。
[0068]接着，请参考图11B，形成一透光层160于发光元件IlOa与保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50%。在此实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光元件IlOa所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成的发光元件封光结构10g的光通量及光取出率，且也可有效保护发光元件IlOa以避免受到外界水气与氧气的侵袭。
[0069]之后，请参考图11C，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150以及保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100g。最后，请再参考图11C，移除基板10，以暴露每一发光元件封装结构10g的保护件120的底面124，其中每一发光元件封装结构10g的保护件120的底面124曝露出第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。
[0070]图12A至图12E为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图。请先参考图12A，本实施例的发光元件封装结构的制作方法与上述图1OA至图1OD中的发光元件封装结构的制作方法的主要差异之处在于:请参考图12A，本实施例的发光元件I 1a并不是由第一电极垫113与第二电极垫115接触基板10，而是由其上表面112a接触基板10。
[0071]接着，请参考图12B，形成一保护件120’于基板上，其中保护件包覆每一发光元件IlOa0
[0072]接着，请参考图12C，移除部分保护件120’，以形成保护件120，其中保护件120暴露出每一发光元件IlOa的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。
[0073]接着，请参考图12D，形成一图案化金属层作为延伸电极层E，位于每一发光元件IlOa的第一电极垫113的第一底面113a上以及第二电极垫115的第二底面115a上。此处，形成图案化金属层的方法例如是蒸镀法、溅镀法、电镀法或化学镀法以及光罩蚀刻法。
[0074]接着，请参考图12E，进行一切割程序，以沿着切割线切割延伸电极层E与保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100d。每一发光元件封装结构10d分别具有至少一个发光元件110a、至少包覆发光元件IlOa的侧表面116a的保护件120、直接接触第一电极垫113的第一延伸电极130d以及直接接触第二电极垫115的第二延伸电极140d。第一延伸电极130d与第二延伸电极140d彼此分离且暴露出保护件120的至少部分底面124。此时，第一延伸电极130d的面积可大于第一电极垫113的面积，而第二延伸电极140d的面积可大于第二电极垫115的面积。第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于保护件120的边缘。
[0075]最后，请再参考图12E，移除基板10，以暴露每一发光元件封装结构10d的保护件120的顶面122与发光元件IlOa的上表面112a，其中每一发光元件封装结构10g的保护件120的顶面122切齐于发光元件IlOa的上表面112a。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。
[0076]图13A至图13D为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光元件封装结构的制作方法与上述图12A至图12E中的发光元件封装结构的制作方法的主要差异之处在于:在图12D与图12E的步骤之间，意即在形成延伸电极层E之后，且在进行切割制程之前，请参考图13A，提供一另一基板20，并设置在延伸电极层E上。此处，另一基板20的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。接着，请再参考图13A，在提供另一基板20之后，移除基板10，以暴露保护件120的顶面122以及发光元件IlOa的上表面112a，其中每一发光元件IlOa的上表面112a切齐于保护件120的顶面122。
[0077]接着，请参考图13B，形成封装胶层150于发光元件IlOa与保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光元件IlOa的上表面112a与保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(T12)或二氧化硅(S12),以增加出光效率。
[0078]接着，请参考图13C，形成一透光层160于发光元件IlOa与保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50%。此处，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光元件IlOa所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成之发光元件封光结构10i的光通量及光取出率，且也可有效保护发光元件IlOa以避免受到外界水气与氧气的侵袭。
[0079]之后，请参考图13D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150、保护件120及延伸电极层E，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100i。最后，请再参考图13D，移除另一基板20，以暴露每一发光元件封装结构10i的第一延伸电极130d与第二延伸电极140d。在本发明另一实施例中，也可先移除基板20再进行一切割程序。
[0080]综上所述，由于本发明的保护件包覆发光元件的侧表面，且保护件的底面曝露出发光元件的第一电极垫的第一底面以及第二电极垫的第二底面。因此，本发明的发光元件封装结构不但不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光元件，而可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光元件的正向出光效率。
[0081]最