技术特征：
技术总结
关于沟道区域由氧化物半导体构成的TFT，抑制在源电极以及漏电极的附近光激励的空穴所引起的阈值电压偏移，提高可靠性。在氧化物半导体层(130)与栅极绝缘膜(120)之间，部分性地设置下层半导体层(140)。下层半导体层(140)存在于氧化物半导体层(130)与源电极(151)重叠的源极重叠区域(171)、和氧化物半导体层(130)与漏电极(152)重叠的漏极重叠区域(172)中的至少一方。相对于此，在源极重叠区域(171)与漏极重叠区域(172)之间，设置有不存在下层半导体层(140)的区域。
技术研发人员：平野梨伊;井上和式
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2018.11.09