镀膜设备的制作方法

本发明涉及镀膜技术领域，特别涉及一种镀膜设备。

背景技术：

显示面板由基板以及形成在基板上的功能膜层组成，在制造显示面板时，需要在基板上镀上功能膜层，简称镀膜。

相关技术中，采用一种应用等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)的镀膜设备在基板上镀膜。具体的，该镀膜设备包括第一极板和第二极板，第二极板靠近第一极板的表面设置有支撑台。在镀膜时，可以将基板置于该第二极板的支撑台上，并用掩蔽架压制基板，使得基板能够平放在支撑台表面，并向两个极板之间充入待电离气体；之后，分别向第一极板和第二极板施加不同的电压，使得第一极板和第二极板之间形成电场；位于两个极板之间的待电离气体在电场的作用下发生电离，得到等离子体；等离子体化学活性很强，很容易发生反应，从而在基板表面沉积得到薄膜。

由于相关技术中，若在将基板置于支撑台上时，基板发生了偏离，则在使用掩蔽架压制基板时，基板表面各个位置的受力较不均匀，从而使得基板表面较容易发生断裂。

技术实现要素：

为了解决基板表面较容易发生断裂的问题，本发明提供了一种镀膜设备。所述技术方案如下：

提供了一种镀膜设备，所述镀膜设备包括：相对设置的第一极板和第二极板，

所述第二极板靠近所述第一极板的表面设置有开口面面积大于底面面积的凹槽，所述凹槽的截面为梯形，所述截面垂直于所述开口面，所述底面用于平置待镀膜基板。

可选的，所述镀膜设备还包括：滑片，所述滑片贴附在所述凹槽的侧壁上，所述滑片的材质为耐高温材质。

可选的，所述镀膜设备还包括：支撑针，

所述底面上设置有贯穿所述第二极板的支撑孔，所述支撑针能够穿过所述支撑孔，且所述支撑针与所述第二极板能够发生相对运动。

可选的，所述第一极板上设置有贯穿所述第一极板的n个输气孔，所述n为大于或等于2的整数。

可选的，所述镀膜设备还包括n个输气管，所述n个输气管与所述n个输气孔一一对应，且所述n个输气管中的每个输气管均固定套接在相对应的输气孔内。

可选的，所述第一极板为矩形板，所述n等于5，五个输气管包括一个第一输气管和四个第二输气管，

所述第一输气管的轴线经过所述第一极板的中心以及预设矩形的中心，所述四个第二输气管的轴线经过所述预设矩形的四个顶点，且所述四个第二输气管分别靠近所述第一极板的四个侧棱。

可选的，所述镀膜设备还包括：两个连接导体件，所述连接导体件的导电率小于所述第一极板的导电率，

所述两个连接导体件中的每个连接导体件均呈T型，所述每个连接导体件分别连接两个第二输气管和所述第一输气管，且所述两个连接导体件所连接的第二输气管不同。

可选的，所述镀膜设备还包括：扩散器，所述扩散器设置在所述第一极板靠近所述第二极板的一侧。

可选的，所述镀膜设备还包括：滚珠，

所述滚珠设置在所述支撑孔的内壁，且与所述支撑针相接触。

可选的，所述镀膜设备还包括：驱动电机，

所述驱动电机与所述第二极板相连接，用于驱动所述第二极板沿垂直于所述第二极板的方向运动。

综上所述，由于本发明实施例提供的镀膜设备中，第二极板靠近第一极板的表面设置有开口面面积大于底面面积的凹槽，且凹槽的界面为梯形，在将待镀膜基板置于该第一极板上时，待镀膜基板能够在凹槽侧壁的作用下进行滑动，最终滑动至凹槽的底面，从而防止了在将基板置于支撑台上时待镀膜基板发生偏离，且第二极板表面的凹槽能够对待镀膜基板的位置进行限定，因此在使用该镀膜设备的过程中，无需使用掩蔽架压制待镀膜基板，因此，防止了待镀膜基板表面发生断裂。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种镀膜设备的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种镀膜设备的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种镀膜设备的俯视图；

图4是本发明实施例提供的一种镀膜设备的状态示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种镀膜设备的状态示意图；

图6是本发明实施例提供的又一种镀膜设备的状态示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

如图1所示，本发明实施例提供了一种镀膜设备0，该镀膜设备0可以包括：相对设置的第一极板01和第二极板02。

第二极板02靠近第一极板01的表面设置有开口面面积大于底面面积的凹槽A，凹槽A的截面为梯形，且该截面垂直于开口面，凹槽A的底面B用于平置待镀膜基板C。

综上所述，由于本发明实施例提供的镀膜设备中，第二极板靠近第一极板的表面设置有开口面面积大于底面面积的凹槽，且凹槽的界面为梯形，在将待镀膜基板置于该第一极板上时，待镀膜基板能够在凹槽侧壁的作用下进行滑动，最终滑动至凹槽的底面，从而防止了在将基板置于支撑台上时待镀膜基板发生偏离，且第二极板表面的凹槽能够对待镀膜基板的位置进行限定，因此在使用该镀膜设备的过程中，无需使用掩蔽架压制待镀膜基板，因此，防止了待镀膜基板表面发生断裂。

可选的，图2为本发明实施例提供的另一种镀膜设备0的结构示意图，如图2所示，在图1的基础上，该镀膜设备0还可以包括：滑片03，滑片03贴附在凹槽A的侧壁上，滑片03的材质为耐高温材质。由于凹槽A的侧壁上贴附了滑片03，当待镀膜基板C置于凹槽A内时，待镀膜基板C与凹槽A侧壁上的滑片03相接触，由于滑片03的表面较光滑，使得滑片03余待镀膜基板C之间的摩擦力较小，从而减小了待镀膜基板在凹槽A的侧壁上滑动时的阻力，使得待镀膜基板能够有效地滑动至凹槽A的底面B。示例的，该滑片03的材质可以为陶瓷。

进一步的，该镀膜设备0还可以包括：支撑针04，凹槽A的底面B上设置有贯穿第二极板02的支撑孔D，支撑针04能够穿过支撑孔D，且支撑针04与第二极板02能够发生相对运动。在向凹槽A内放置待镀膜基板C时，可以首先将待镀膜基板C置于该支撑针04上，然后，控制第二极板02向靠近待镀膜基板C的方向运动，且在第二极板02运动的过程中，待镀膜基板C的边缘能够与凹槽A的侧壁(具体为凹槽A侧壁的滑片03)相接触，进而使得待镀膜基板C在凹槽A侧壁的推动下，运动至凹槽A的底面B。

示例的，第一极板01上可以设置有贯穿第一极板01的n个输气孔E，n为大于或等于2的整数。由于第一极板01上设置有至少两个输气孔E，使得第一极板01上输入的气体能够均匀的输入至第一极板01与第二极板02之间，进而在第二极板02表面均匀的分布。

可选的，该镀膜设备0还可以包括n个输气管05，n个输气管05与n个输气孔E一一对应，且n个输气管05中的每个输气管05均固定套接在相对应的输气孔E内，也即，每个输气孔E内均套接有一个输气管05。

进一步的，图3为本发明实施例提供的一种镀膜设备0的俯视图，示例的，图2可以为经过图3中的直线XY的截面的截面示意图。如图3所示，该第一极板01可以为矩形板，且n可以等于5，也即该第一极板01上设置有5个贯穿该第一极板01的输气孔，且每个输气孔内均套接有一个输气管，该五个输气管可以包括一个第一输气管051和四个第二输气管052，第一输气管051的轴线经过第一极板01的中心以及预设矩形F的中心，四个第二输气管052的轴线经过预设矩形F的四个顶点，且四个第二输气管052分别靠近第一极板01的四个侧棱。也即，第一极板01上设置有5个输气孔E，以及5个输气管05，该5个输气管05均匀的分布在第一极板01上，进一步的提高了第一极板01上输入气体在第二极板02表面分布的均匀度。

请结合图2和图3，该镀膜设备0还可以包括：两个连接导体件06，每个连接导体件06的导电率均小于第一极板01的导电率，示例的，第一极板01和第二极板02的材质均可以为铝，每个连接导体件06的材质均可以为铜，铜的导电率小于铝的导电率。示例的，该两个连接导体件06中的每个连接导体件06均可以呈T型，每个连接导体件06分别连接两个第二输气管052和第一输气管051，且两个连接导体件06所连接的第二输气管052不同。

由于该连接导体件06的导电率小于第一极板01的导电率，在通过该连接导体件06将电压施加至该第一极板01，以及该第一极板01上连接的各个部件上时，由于该连接导体件06的导电率较小，所以，在传输电压时，该连接导体件06上的能耗较少。另外，在分别向第一极板01和第二极板02施加不同的电压时，虽然连接导体件06会对两个极板之间的电场产生影响，但是，由于两个连接导体件06能够对称的分布在第一极板01上，使得连接导体件06对第一极板01上各个位置的电场的影响较均一，从而减小了镀好的膜层各个位置的差异性。

需要说明的是，每个连接导体件06可以为实心的杆状结构，也可以为空心的管状结构，本发明实施例对此不作限定。本发明实施例中以每个连接导体件06为空心的管状结构为例，此时，该五个输气管可以通过两个连接导体件06相连通。

请继续参考图2，镀膜设备0还可以包括：扩散器07，扩散器07设置在第一极板01靠近第二极板02的一侧。由于扩散器07设置在第一极板01靠近第二极板02的一侧，也即，该扩散器07能够扩散第一极板01上的输气管05输出的气体，进一步的提高了第一极板01上输入的气体在第二极板02上分布的均匀度。

该镀膜设备0还可以包括：滚珠08，滚珠08设置在支撑孔D的内壁，且与支撑针04相接触。由于滚珠08与支撑针04相接触，也即，在第二极板02与支撑针04发生相对运动时，第二极板02与支撑针04之间的接触面积较小，使得支撑针04余第二极板02之间的摩擦力也较小，有利于第二极板02与支撑针04之间的相对运动。

可选的，镀膜设备0还可以包括：驱动电机09，驱动电机09与第二极板02相连接，该驱动电极08可以用于驱动第二极板02沿垂直于第二极板02的方向运动。也即，本发明实施例中通过驱动电机09驱动第二极板02沿垂直于第二极板02的方向运动，从而实现第二极板02与支撑针04之间的相对运动。

进一步的，本发明实施例中的镀膜设备可以为采用等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)镀膜的镀膜设备。在使用本发明实施例提供的镀膜设备时，可以首先通过控制驱动电机控制第二极板向远离第一极板的方向运动，使得支撑针与第二极板之间发生相对运动，从而使得支撑针从第二极板的底面伸出，然后将待镀膜基板C置于该支撑针上，此时该镀膜设备的状态可以如图4所示。

然后，可以通过控制驱动电机，控制该第二极板向靠近第一极板的方向运动，直至该待镀膜基板在第二极板上凹槽的作用下，滑动至该第二极板的底面，此时该镀膜设备的状态可以如图5所示。

最后，可以分别向第一极板上的某一个输气管以及第二极板输入不同的电压，使得输入至该某一输气管上的电压经过连接导体件以及其他输气管，输入至第一极板、第一极板上的其他输气管以及第一极板上设置的扩散器上。

示例的，当每个连接导体件均为空心的管状结构时，可以向五个输气管中的某一个输气管输入待电离气体，使得该待电离气体通过连接导体件输入至五个输气管中，并从五个输气管中输出至第一极板与第二极板之间。示例的，当每个连接导体件均为实心的杆状结构时，可以分别向五个输气管输入待电离气体，使得待电离气体通过该五个输气管，输入至第一极板与第二极板之间。

在第一极板以及第二极板的电压的作用下，待电离气体在第一极板或者第一极板上的各个位置均可以发生电离，得到等离子体，等离子体的化学活性很强，很容易在待镀膜基板表面发生反应，从而在待镀膜基板表面沉积得到薄膜，此时该待镀膜设备的状态可以如图6所示，此时，待镀膜基板C表面沉积有薄膜W。

综上所述，由于本发明实施例提供的镀膜设备中，第二极板靠近第一极板的表面设置有开口面面积大于底面面积的凹槽，且凹槽的界面为梯形，在将待镀膜基板置于该第一极板上时，待镀膜基板能够在凹槽侧壁的作用下进行滑动，最终滑动至凹槽的底面，从而防止了在将基板置于支撑台上时待镀膜基板发生偏离，且第二极板表面的凹槽能够对待镀膜基板的位置进行限定，因此在使用该镀膜设备的过程中，无需使用掩蔽架压制待镀膜基板，因此，防止了待镀膜基板表面发生断裂。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。