1.一种基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；
其特征在于，该方法还包括：
在所述绝缘层之上形成光刻胶层，使所述光刻胶层至少填平所述第一区域；
去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层之上形成光刻胶层之后且在去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶之前，该方法还包括：
对所述光刻胶层进行软烘处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述软烘处理的温度为90°-100°。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述软烘处理的时间为10-30min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，包括：
采用等离子体刻蚀工艺对所述除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶进行刻蚀。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角的大小由所述采用等离子体刻蚀的速率确定。
7.一种基板，包括：设置在衬底基板上的金属层；
设置在所述金属层之上的绝缘层，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔具有第一区域，第一区域具有底切结构；
其特征在于，所述基板还包括：
设置在所述第一区域被所述底切结构遮挡的光刻胶，且具有光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述绝缘层为钝化层。
9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板还包括：
设置在所述钝化层之上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述金属层电性相连。
10.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述金属层为有源层，所述绝缘层为栅极绝缘层和层间介质层。
11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，所述基板还包括：
设置在所述栅极绝缘层和层间介质层之上的源漏极，所述源漏极通过所述过孔与所述有源层电连接。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求7-11任一权项所述的基板。