技术特征：
技术总结
本发明公开了一种淀积方法，涉及半导体技术领域。该淀积方法可以包括：在第一淀积温度下在用于淀积的反应腔体中实施第一淀积操作；以及对该反应腔体实施降温，并在降温过程中实施第二淀积操作。在第一淀积操作过程中淀积的薄膜是外围厚而中间薄，在第二淀积操作过程中淀积的薄膜是外围薄而中间厚，因此经过本发明的淀积方法可以使得薄膜更加均匀。
技术研发人员：沈建飞;王杨
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.01.12
技术公布日：2018.07.20