技术总结
本发明公开了一种低膨胀率多孔硅/石墨复合负极材料及其制备方法，通过去合金化的工艺实现了多孔硅的制备，实现了纳米硅的廉价制备，通过碳包覆实现了多孔硅的导电性以及稳定性的提高，通过与石墨负极材料按照一定比例均匀混合，实现了多孔硅/石墨低膨胀硅碳负极材料的制备以及设计。该种材料具有以下优点:多孔硅中的空间为硅的膨胀提供了足够的空间，从而实现了硅碳负极整体的低膨胀，保证了电极的低膨胀以及电池的安全性；通过对硅的碳包覆，碳包括石墨烯，无定型裂解碳等，实现了多孔硅的导电性以及稳定性的提高；去合金化廉价的方法，保证了硅的廉价性以及整个复合负极的廉价性。
技术研发人员：慈立杰;翟伟;邵学智
受保护的技术使用者：山东泰纳新材料科技有限公司
文档号码：201710110164
技术研发日：2017.02.28
技术公布日：2017.05.31