技术特征：
技术总结
半导体器件包括设置在衬底上方的隔离层、第一鳍结构和第二鳍结构、栅极结构、源极/漏极结构和设置在隔离绝缘层的上表面上的介电层。第一鳍结构和第二鳍结构都设置在衬底上方，并且在平面视图中，在第一方向上延伸。栅极结构设置在第一鳍结构和第二鳍结构的部分上方，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。使未由栅极结构覆盖的第一鳍结构和第二鳍结构凹进至低于隔离绝缘层的上表面。在凹进的第一鳍结构和第二鳍结构上方形成源极/漏极结构。在源极/漏极结构和介电层之间形成空隙。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
技术研发人员：李威养;杨丰诚;陈定业
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.03.03
技术公布日：2017.09.12