1.一种晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征是利用热浸镀的方法在钕铁硼磁体的表面包覆一薄层低熔点金属或低熔点合金，之后经过扩散热处理，通过改善磁体的边界结构和晶界相分布获得高矫顽力钕铁硼磁体；具体工艺步骤如下：
(1)磁体表面清洁处理；
(2)将扩散源金属或合金真空加热至熔点以上10-50℃熔化，并将磁体在接近熔体温度下真空预热；
(3)将经过预热的磁体放入金属或合金熔体槽中进行热浸镀，取出冷却；
(4)磁体浸镀后进行扩散热处理及退火热处理；
(5)表面处理得到所需磁体。
2.如权利要求1所述一种晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征是低熔点金属为Ga,Zn,Sn中的一种,低熔点合金成份组成为R-M,R为La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho,Y中的一种及以上，M为Cu,Al,Ga,Zn,Sn,Ag中的一种及以上，并且其熔点不高于900℃。
3.如权利要求1所述一种晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征是步骤(4)所述扩散温度范围为650～950℃，退火温度范围为400～600℃。