技术特征：
技术总结
提供一种确保可靠性且具有较高的光取出效率的发光元件。发光元件具有：半导体层积体、设置在半导体层积体的上表面的一部分的上部电极、设置在半导体层积体的下表面中从上部电极的正下方区域离开的区域的具有光反射性的下部电极、与上部电极的表面和半导体层积体的上表面连续而设置的保护膜，在下部电极的正上方区域设置的保护膜的厚度比与上部电极的表面和设有上部电极的区域的附近区域的半导体层积体的上表面连续而设置的保护膜的厚度薄。
技术研发人员：山上勇也;森田大介
受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社
技术研发日：2017.03.15
技术公布日：2017.09.29