技术特征：
技术总结
本发明公开一种金属绝缘体金属元件的制造方法，包括：在基底上依序形成第一金属层、绝缘层及第二金属层，以形成金属绝缘体金属结构；在所述第二金属层的至少一部分上形成图案化掩模层；使用不含碳的蚀刻剂对未形成有所述图案化掩模层的所述第二金属层及所述绝缘层进行蚀刻；以及使用包含氧化剂及金属氧化物蚀刻剂的混合溶液对经蚀刻的所述金属绝缘体金属结构进行清洗，以去除残留在所述金属绝缘体金属结构上的多余聚合物。
技术研发人员：戴炘;张柏成;黄慧秦;窦培庭;吕明政
受保护的技术使用者：力晶科技股份有限公司
技术研发日：2017.03.15
技术公布日：2018.09.14