技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和标记区；在衬底上形成停止层；在停止层上形成阻挡层；在阻挡层上形成第一刻蚀层；在器件区第一刻蚀层中形成第一开口，并在标记区第一刻蚀层中形成第一标记开口；在器件区第一刻蚀层中形成第二开口，并在标记区形成第二标记开口；在第一刻蚀层上形成第二刻蚀层；在第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以光刻胶为掩膜对第二刻蚀层进行第三刻蚀，在器件区第二刻蚀层中形成第三开口，并在标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口，第一标记开口、第二标记开口和第三标记开口在衬底表面上的投影图形无公共交集。该形成方法能够提高套刻精度。
技术研发人员：邓国贵
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.03.22
技术公布日：2018.10.09