本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种防碰撞硅片及其制备方法。
背景技术：
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉，由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。现有硅片结构固定，功能单一，厚度较薄，在运输过程中难免会碰上边角，影响使用，降低使用寿命，再加上制备过程比较繁琐，满足不了日益增长的使用需求。
技术实现要素：
为了克服现有的硅片边缘易碰伤和制备麻烦的不足，本发明提供了一种防碰撞硅片及其制备方法，通过在硅片主体外沿增设防护圈来解决问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种防碰撞硅片，包括硅片主体，硅片主体为圆盘状，硅片主体外沿粘结有加强边，加强边材料为尼龙，加强边宽度为0.2cm。
进一步的，包括以下制备步骤：
第一步：将硅料加入高温熔炉中进行加热制取多晶硅；
第二步：将多晶硅放置在掺杂铂的溶液中制取掺杂铂的多晶硅；
第三步：对掺杂铂的多晶硅进行切割并利用双氧水进行清洗；
第四步：将清洗干净的多晶硅添加固化剂和还原剂完成制备。
本发明的有益效果是，结构简单，操作方便，工作稳定可靠，通过尼龙加强边增加硅片边缘强度，且通过上述制备方法可以提高多晶硅片的转换效率，保证产品合格率，同时降低生产成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图；
图中1.硅片主体，2.加强边。
具体实施方式
如图1是本发明的结构示意图，一种防碰撞硅片及其制备方法，包括硅片主体1，硅片主体1为圆盘状，硅片主体1外沿粘结有加强边2，加强边2材料为尼龙，加强边2宽度为0.2cm。
制备时，将硅料加入高温熔炉中，在无尘环境下加热至1300℃，保持炉底的硅料不熔化，使留在炉底的硅料晶体能更好的的引导长晶和控制晶粒要求，从而减少位错和缺陷，提高了产品纯度，进行加热制取多晶硅；将多晶硅放置在掺杂铂的溶液中制取掺杂铂的多晶硅；对掺杂铂的多晶硅进行切割并利用双氧水进行清洗；将清洗干净的多晶硅添加固化剂和还原剂完成制备，向清洗后的多晶硅中添加高还原性的添加剂和固化剂，并在700℃的温度下处理15分钟。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。