技术总结
本发明公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结及其制造方法。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本发明利用氟离子注入实现氮化镓基PN结的制备方法，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。
技术研发人员：赵琳娜;闫大为;顾晓峰;陈雷雷
受保护的技术使用者：江南大学
文档号码：201710182867
技术研发日：2017.03.24
技术公布日：2017.06.13