技术总结
本发明涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本发明可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。
技术研发人员：刘庆飞;陈计学;赵建强;朱小燕;赵绢
受保护的技术使用者：北方电子研究院安徽有限公司
文档号码：201710186796
技术研发日：2017.03.27
技术公布日：2017.06.13