1.一种薄膜晶体管，包括衬底，依次设置在所述衬底上的第一导电层、绝缘层、第二导电层，以及有源层、栅绝缘层、栅极；所述有源层设置于所述第一导电层、所述绝缘层和所述第二导电层的一侧，所述栅绝缘层设置于所述有源层远离所述第一导电层、所述绝缘层、所述第二导电层的一侧，所述栅极设置于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧，其特征在于，
所述第一导电层上表面的尺寸大于等于所述绝缘层下表面的尺寸，所述绝缘层上表面的尺寸大于等于所述第二导电层下表面的尺寸；
所述薄膜晶体管的沟道长度大于所述绝缘层与所述有源层接触的第一侧面上，所述绝缘层的上表面与所述第一侧面相交的边到所述绝缘层的下表面与所述第一侧面相交的边的距离。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一侧面呈台阶状。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的上表面尺寸大于与其接触的所述第二导电层下表面的尺寸；
所述第一侧面呈平面状。
4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiOx。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上依次形成第一导电层、绝缘层、第二导电层，以及有源层、栅绝缘层、栅极；所述有源层位于所述第一导电层、所述绝缘层和所述第二导电层的一侧，所述栅绝缘层位于所述有源层远离所述第一导电层、所述绝缘层、所述第二导电层的一侧，所述栅极位于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧，其特征在于，
所述第一导电层上表面的尺寸大于等于所述绝缘层下表面的尺寸，所述绝缘层上表面的尺寸大于等于所述第二导电层下表面的尺寸；
所述薄膜晶体管的沟道长度大于所述绝缘层与所述有源层接触的第一侧面上，所述绝缘层的上表面与所述第一侧面相交的边到所述绝缘层的下表面与所述第一侧面相交的边的距离。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的上表面尺寸大于与其接触的所述第二导电层下表面的尺寸；所述第一侧面呈平面状；
形成所述第二导电层、所述绝缘层，包括：
在所述第一导电层上依次形成绝缘层薄膜、第二导电层薄膜，并通过掩模曝光工艺形成第一光刻胶图案；
采用湿法刻蚀对所述第二导电层薄膜进行过刻刻蚀，形成尺寸小于所述第一光刻胶图案的尺寸的所述第二导电层；
采用干法刻蚀对所述绝缘层薄膜进行刻蚀，形成所述第一侧面呈平面状的所述绝缘层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一侧面呈台阶状；
形成所述第二导电层、所述绝缘层，包括：
在所述第一导电层上依次形成绝缘层薄膜、第二导电层薄膜，并通过掩模曝光工艺形成第一光刻胶图案；
采用湿法刻蚀对所述第二导电层薄膜进行过刻刻蚀，形成尺寸小于所述第一光刻胶图案的尺寸的所述第二导电层；
采用干法刻蚀对所述绝缘层薄膜进行第一次刻蚀，形成所述第一侧面呈平面状的所述绝缘层；
采用灰化工艺减小所述第一光刻胶图案的尺寸，形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案的尺寸大于等于所述第二导电层的尺寸；
采用干法刻蚀对所述第一侧面呈平面状的所述绝缘层进行第二次刻蚀，形成所述第一侧面呈一级台阶状的所述绝缘层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第二导电层的尺寸小于所述第二光刻胶图案的尺寸的情况下，形成所述第一侧面呈一级台阶状的所述绝缘层后，所述方法还包括：至少重复一次对所述第二光刻胶图案进行灰化并对所述第一侧面呈一级台阶状的所述绝缘层进行第三次刻蚀，以使所述第一侧面呈多级台阶状；
其中，对所述第二光刻胶图案进行灰化并对所述第一侧面呈一级台阶状的所述绝缘层进行第三次刻蚀，包括：
采用灰化工艺减小所述第二光刻胶图案的尺寸，形成第三光刻胶图案，所述第三光刻胶图案的尺寸大于等于所述第二导电层的尺寸；
采用干法刻蚀对所述第一侧面呈一级台阶状的所述绝缘层进行第三次刻蚀，以使所述第一侧面的台阶数增加一级。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅极通过一次构图工艺形成。