半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心区、以及用于形成周边器件的周边区；

在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的伪栅电极层；

在所述伪栅结构露出的基底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构顶部；

去除所述核心区的伪栅结构，在所述核心区的层间介质层内形成第一开口；

去除所述核心区的伪栅结构后，去除所述周边区的伪栅电极层，在所述周边区的层间介质层内形成第二开口；

在所述第一开口底部和侧壁、所述第二开口侧壁以及所述第二开口中的栅氧化层上形成高k栅介质层；

形成所述高k栅介质层后，在所述第一开口和第二开口中填充金属层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅电极层的材料为多晶硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区的伪栅结构的步骤包括：在所述周边区的伪栅结构上形成第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述核心区的伪栅结构；

刻蚀去除所述核心区的伪栅结构后，去除所述第一光刻胶层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一光刻胶层的工艺为灰化和湿法去胶相结合的工艺；

或者，

去除所述第一光刻胶层的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为硫酸和双氧水的混合溶液。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成伪栅结构的步骤包括：在所述基底上形成栅氧化层；

对所述栅氧化层进行掺氮工艺；

在所述掺氮工艺后，对所述基底进行退火工艺；

在所述退火工艺后，在所述栅氧化层上形成伪栅电极层；

对所述伪栅电极层进行平坦化工艺；

在所述平坦化工艺后，在所述伪栅电极层上形成栅极掩膜层；

以所述栅极掩膜层为掩膜，图形化所述伪栅电极层和栅氧化层，剩余所述栅氧化层和伪栅电极层用于构成所述伪栅结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺氮工艺为等离子体氮化工艺。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为等离子体氮化退火工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述周边区的伪栅电极层的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为四甲基氢氧化氨溶液。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区的伪栅结构的步骤中，去除所述核心区的伪栅电极层以及部分厚度的栅氧化层；

去除所述周边区的伪栅电极层后，形成所述高k栅介质层之前，所述形成方法还包括：去除所述第一开口中的剩余栅氧化层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区部分厚度的栅氧化层后，所述第一开口中剩余栅氧化层的厚度为至

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的材料为氧化硅，去除所述第一开口中的剩余栅氧化层的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区的伪栅电极层以及部分厚度的栅氧化层后，去除所述周边区的伪栅电极层之前，所述形成方法还包括：在所述第一开口中填充第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖剩余所述栅氧化层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口中填充第二光刻胶层的步骤包括：在所述第一开口中填充光刻胶材料，

所述光刻胶材料还覆盖所述层间介质层顶部；

去除高于所述层间介质层顶部的光刻胶材料，所述第一开口中的剩余光刻胶材料作为所述第二光刻胶层。

15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口中的剩余栅氧化层之前，所述形成方法还包括：采用显影液去除所述第二光刻胶层。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区的伪栅结构后，去除所述周边区的伪栅电极层之前，所述形成方法还包括：采用氢氧化铵溶液对所述基底进行清洗工艺。

17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；

在所述基底上形成伪栅结构的步骤中，所述伪栅结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分侧壁表面和部分顶部表面；

形成所述高k栅介质层的步骤中，所述高k栅介质层横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分侧壁表面和部分顶部表面。

18.一种如权利要求1至17任一项形成方法所形成的半导体结构。