技术特征：
技术总结
本发明属于显示面板技术领域。本发明公开了一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括：依次在衬底基板上形成栅极层、有源层、源漏极接触层和源漏电极。形成源漏极接触层的过程包括：形成沟道保护层；使用包含乙硼烷的反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积的方法沉积欧姆接触层，并对其进行构图，形成源漏极接触层。在沉积欧姆接触层的过程中，硼离子会进入源漏极接触层中。此种方法不再需要采用掩膜定义硼离子植入区域，省去了硼离子植入的过程，简化了工艺流程，降低了制造成本。
技术研发人员：李松杉
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.04.17
技术公布日：2017.08.11