技术特征：
技术总结
本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。
技术研发人员：刘国友;黄建伟;窦泽春;罗海辉;覃荣震;肖红秀;张大华;李继鲁;肖强;谭灿健;戴小平
受保护的技术使用者：株洲中车时代电气股份有限公司
技术研发日：2017.05.10
技术公布日：2017.10.10