技术特征：
技术总结
一种半导体结构，包括第一防护环与第二防护环。第一防护环位于基底中。第一防护环包括交替排列的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区互为不同导电型。第二防护环位于第一防护环旁。第二防护环包括交替排列的多个第三掺杂区与多个第四掺杂区以及多个掩模层。各第三掺杂区对应于各第二掺杂区。各第四掺杂区对应于各第一掺杂区。第三掺杂区与第一掺杂区为相同导电型且交错配置。掩模层分别配置于第三掺杂区与第四掺杂区之间的基底上。
技术研发人员：陈永初
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2018.12.04