面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法，涉及陶瓷封装外壳技术领域。本发明包括陶瓷件和针引线，所述陶瓷件正面的芯片安装区、封口面均采用磨抛方式进行加工，磨抛后陶瓷件的封口面、芯片安装区的平面度均≤1μm/mm或50μm。采用该方法制作的陶瓷外壳，平面度高、气密性高，能够解决平面度低的问题。

技术研发人员：张倩;彭博
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2017.09.29