一种新型光电位置敏感传感器的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种新型光电位置敏感传感器，包括透明衬底(101)、ITO背电极(201)、N型层(301)、I型层(401)、P型层(501)、第一电极(601)和第二电极(602)组成。通过传感器整体结构和各功能层的巧妙设计，本发明的新型光电位置敏感传感器性能优异，制备简单，成本低廉，基底兼容性好，易于制成大面积器件。

技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：芜湖乐知智能科技有限公司
技术研发日：2017.06.06
技术公布日：2017.10.03