技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法，属于阻变存储领域。一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层，并公开了其制备方法。本发明采用的原料易得，成本低廉，制备出的存储器呈现非易失性一次写入多次读取存储特性，具有写入电压低、开关比高、误读率低、稳定性高的优点。
技术研发人员：刘举庆;陈洁;黄维
受保护的技术使用者：南京工业大学
技术研发日：2017.06.22
技术公布日：2017.09.05