技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于处理半导体基板的方法，所述方法包括升温阶段和缺陷处理阶段；所述升温阶段施加有激发载流子的手段；所述缺陷处理阶段包括至少2个平台处理阶段，在每个平台处理阶段期间内，处理温度和激发载流子产生率恒定；同时，所述方法至少满足如下条件之一：(1)任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同；(2)任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率不同。本发明通过设置温度和/或激发载流子产生率不同的平台处理阶段，使得所述方法能够将不同形式的缺陷分开进行处理消除，降低相同处理条件造成的缺陷消除的抵消，提高了光致衰减的效果，改善半导体器件的体少子寿命，增加太阳电池的转换效率。
技术研发人员：吴坚;姚铮;王栩生;蒋方丹;邢国强
受保护的技术使用者：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2017.10.17