半导体装置的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1<1)的第1膜之上的包含Alx2Ga1－x2N(0
技术研发人员：上杉谦次郎;新留彩;加藤大望;蔵口雅彦;布上真也
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：2017.08.31
技术公布日：2018.08.07