半导体元件及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
一种半导体元件及其形成方法。半导体元件的形成方法包含：形成至少一栅极结构于基材上。栅极结构包含栅电极。栅极结构的栅电极包含第一导电材料；以及沿着栅极结构的栅极结构的侧壁而形成第一介电材料的第一介电层。第一介电材料的第一介电层包含具有一掺杂浓度的氟的氟掺杂氮碳氧化硅或氟掺杂碳氧化硅。

技术研发人员：翁桐敏;吴宗翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.11.10
技术公布日：2019.03.05