键合方法、OLED蒸镀方法以及OLED装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体(包括led)技术领域，特别涉及一种键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法。

背景技术：

随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求日益增长。为了满足这种要求，各种平板显示装置如薄膜晶体管液晶显示屏(tft-lcd)、等离子体显示屏(pdp)、有机发光二极管(oled)显示屏都得到了迅猛的发展。在这些发光型平板显示装置中，oled显示屏由于具有注入宽视角、高对比度和短响应时间等优异的特性，正在逐步占据平板显示的主导地位。目前，oled显示屏已经广泛的应用于诸如数码相机、摄像机、笔记本电脑、平板、手机等产品中。

当前oled显示屏的制作过程中，有机层的蒸镀一般会使用到掩模板组件。掩模板组件一般包括掩模外框、掩模版、还有支撑件等，由于组件结构复杂，在oled蒸镀时掩模版和驱动电路基底对准过程中会产生较大的误差，直接影响有机沉积层的沉积质量，进而影响后期产品质量。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法，提高基底与掩模板的定位精度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种键合方法，包括：

提供静电载具，所述静电载具包括突出部及底部，所述突出部设置在所述底部上以围绕出凹槽；

将基底放置在所述凹槽中，将掩模板放置在所述突出部上，使得所述基底与所述掩模板对准；以及

所述静电载具对所述基底和所述掩模板进行静电吸附以键合。

可选的，对于所述的键合方法，所述突出部的形状为圆环状。

可选的，对于所述的键合方法，所述突出部为多个，间隙均匀排布在所述底部上。

可选的，对于所述的键合方法，所述凹槽的形状和大小与所述基底相匹配。

可选的，对于所述的键合方法，所述凹槽呈矩形或圆形。

可选的，对于所述的键合方法，所述凹槽的深度与所述基底的厚度相同。

可选的，对于所述的键合方法，所述掩模板为硅晶圆掩模版。

可选的，对于所述的键合方法，将掩模板放置在所述突出部上，使得所述基底与所述掩模板对准之前，还包括：对所述掩模板在外边缘进行扩大，形成扩展部。

可选的，对于所述的键合方法，对所述掩模板在外边缘进行扩大包括：

采用注塑成型方式在所述掩模板的外边缘形成扩展部。

可选的，对于所述的键合方法，所述扩展部的形状为圆环状。

可选的，对于所述的键合方法，所述扩展部为多个，间隙均匀排布在所述掩模板外边缘周围。

可选的，对于所述的键合方法，对所述掩模板在外边缘进行扩大包括：

利用夹具固定在所述掩模板的外边缘形成扩展部。

可选的，对于所述的键合方法，所述夹具的形状为圆环状。

可选的，对于所述的键合方法，所述扩展部完全覆盖所述突出部，以提高所述静电吸附的效果。

可选的，对于所述的键合方法，所述基底中具有第一对准标记，所述掩模板中具有第二对准标记，通过所述第一对准标记和所述第二对准标记的对准实现所述基底与所述掩模板对准。

可选的，对于所述的键合方法，所述基底为半导体晶圆或显示面板。

本发明还提供一种oled蒸镀方法，包括如上所述的键合方法；以及

在所述静电载具对所述基底和所述掩模板进行静电吸附以键合之后，以所述掩模板为掩膜对所述基底蒸镀oled。

本发明还提供一种oled装置的制造方法，包括：如上所述的oled蒸镀方法。

可选的，对于所述的制造方法，所述oled装置为oled显示屏，或者，含有oled显示屏的装置。

本发明提供的键合方法中，所述键合方法包括：提供静电载具，所述静电载具包括突出部及底部，所述突出部设置在所述底部上以围绕出凹槽；将基底放置在所述凹槽中，将掩模板放置在所述突出部上，使得所述基底与所述掩模板对准；以及，所述静电载具对所述基底和所述掩模板进行静电吸附以键合。由此，使得基底与掩模板对准后，掩模板的位置由静电载具静电吸附固定住，而基底的位置由凹槽静电吸附固定住，防止了基底和掩模板的移位，从而有效提高了键合效果，确保了定位精度，有助于后续制备过程高质量的完成；并且，所述基底和所述掩模板的键合在拆分时更容易。

附图说明

图1为本发明一个实施例中键合方法的流程图；

图2为本发明一个实施例中提供静电载具的示意图；

图3为本发明一个实施例中提供基底的示意图；

图4为本发明一个实施例中提供掩模板的示意图；

图5为本发明一个实施例中将掩模板扩大的示意图；

图6为本发明一个实施例中将基底置于静电载具中的示意图；

图7为本发明一个实施例中基底和掩模板键合的示意图。

图中标号:

1-静电载具；11-凹槽；12-突出部；13-底部；2-基底；21-第一对准标记；3-掩模板；31-第二对准标记；32-扩展部。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

如上所述，掩模版组件结构复杂，例如掩模外框、掩模版、还有支撑件等之间本身就存在相互之间的位置误差，且随着使用次数增多，所述位置误差可能会被放大，最终会影响对准。

基于此，如图1所示，本发明实施例提供的一种键合方法，包括：

步骤s11，提供静电载具，所述静电载具包括突出部及底部，所述突出部设置在所述底部上以围绕出凹槽；

步骤s12，将基底放置在所述凹槽中，将掩模板放置在所述突出部上，使得所述基底与所述掩模板对准；以及

步骤s13，所述静电载具对所述基底和所述掩模板进行静电吸附以键合。

下面结合图2-图7对本发明实施例的键合方法进行详细说明。

如图2所示，对于步骤s11，提供静电载具1，所述静电载具1包括突出部12及底部13，所述突出部12设置在所述底部13上以围绕出凹槽11。

在一个实施例中，所述静电载具1可以是导体，例如金属材质。

在一个实施例中，所述静电载具1可以为陶瓷等材质，但其表面排布有电极，用以进行静电吸附。

所述静电载具1可以是采用挖槽后形成。当然，也可以是采用其他形式，例如，采用多个模块组装而成，又如，根据模子一次性获得等。

所述突出部12一方面用于后续支撑掩模板，另一方面也用作对所述基底2进行限位。

在一个实施例中，所述突出部12的形状为圆环状，为一个环状结构，例如是一个圆环。

在一个实施例中，所述突出部12可以为多个，每个突出部12皆为柱状结构，且所述多个柱状结构间隙均匀的排布在所述底部13上，例如可以排布成一周或多周。

在一个实施例中，所述突出部12垂直所述底部13。

在一个实施例中，所述静电载具1的凹槽11的形状和大小与所需要加工的基底2(如图3所示)相匹配。

例如，所述基底2为半导体晶圆，则所述凹槽11可以是圆形；又如，所述基底2为显示面板，例如tft基板，则所述凹槽11可以是矩形。

可以理解的是，为了使得基底2放置于所述凹槽11中后，尽可能避免在凹槽11中的移动，可以使得所述凹槽11的面积恰好与所述基底2相同，或者略大于所述基底2。所述凹槽11的深度以恰好与所述基底2的厚度相同为佳，可以理解的是，所述凹槽11的深度也可以是略小于或略大于所述基底2的厚度。

例如，以半导体晶圆为例，所述凹槽11的直径d1与所述基底2的直径d3相同。或者，所述凹槽11的直径d1比所述基底2的直径d3大1～5mm。

图3中示出了所述基底2，在一个实施例中，所述基底2为半导体晶圆，具体的，所述半导体晶圆的构成材料可以采用未掺杂的单晶硅、掺杂有杂质的单晶硅、绝缘体上硅(soi)等。作为示例，在本实施例中，所述半导体晶圆选用单晶硅材料构成的硅基板。在所述半导体晶圆中还可以形成有埋层(图中未示出)等。此外，对于pmos而言，所述基底2中还可以形成有n阱(图中未示出)，并且在形成栅极结构之前，可以对整个n阱进行一次或多次小剂量硼注入，用于调整pmos的阈值电压vth。

可以理解的是，所述基底2还可以是其他材质，例如，所述基底2还可以是tft基板，具体的，例如是玻璃显示器基板。

在一个实施例中，所述基底2上形成有第一对准标记21。所述第一对准标记21将与掩模板中的第二对准标记配合以进行二者的对准。

请参考图4和图5，提供掩模板3，并视需求对所述掩模板3在外边缘进行扩大。

若所述掩模板3较大，例如能够放置在所述静电载具1的突出部12上，则可以不进行放大。若所述掩膜版3与所述基底2形状大小一致，则进行本步骤。

所述掩模板3形成有至少一个穿孔，以用作后续操作时例如进行膜层的沉积。

在一个实施例中，所述掩膜板3为硬质掩膜板，例如是采用硅基板制成，例如，可以采用未掺杂的单晶硅、掺杂有杂质的单晶硅、掺杂有杂质的多晶硅等。作为示例，在本实施例中，所述掩模板3选用单晶硅材料构成。

在另一个实施例中，所述掩模板3还可以是玻璃基板制成。

例如，当所述基底2为硅晶圆时，所述掩模板3采用硅基板，且二者可以是相同材质，例如有着相同大小、相同的热膨胀系数等；当所述基底2为玻璃显示器基板时，所述掩模板3采用玻璃基板，且二者可以是相同材质，例如有着相同大小、相同的热膨胀系数等。如此，可以减少在加工过程的升温所引起的掩模板3及其穿孔与所述基板100在水平方向(即加工面所在平面的方向)位错。

在一个实施例中，所述掩模板3上具有第二对准标记31。

在一个实施例中，对所述掩模板3在外边缘进行扩大包括：采用注塑成型方式在所述掩模板3的外边缘形成扩展部32。

例如，所述扩展部32为环状，可以是圆环状、方环状等。

又如，所述扩展部32为多个，每个扩展部32皆为柱状结构，间隙均匀排布，例如可以排布成一周或多周。

在一个实施例中，对所述掩模板3在外边缘进行扩大包括：利用夹具固定在所述掩模板3的外边缘形成扩展部32。例如，所述夹具的形状为圆环状。

所述注塑成型方式的掩模板可以具有较好的持久性和重复利用性。而利用夹具作为的扩展部32，则更为灵活，例如可以依据需要去除或加载上所述夹具，同时还可以更换不同大小、材质的夹具。

在一个实施例中，所述扩展部32完全覆盖所述突出部12，可以是形状和大小一致，例如，所述扩展部32朝向所述突出部12的的面积等于所述突出部12的顶端面积。当然，还可以是所述扩展部32朝向所述突出部12的的面积大于所述突出部12的顶端面积。即图2中所示突12出部的宽度d2小于等于图5中所示扩展部32的宽度d4。所述扩展部32完全覆盖所述突出部12可以提高所述静电吸附的效果。

对于所述突出部12为多个柱状结构的情况，所述扩展部32依然可以是一整圈的结构。

请参考图6和图7，对于步骤s12，将基底2放置在所述凹槽11中，将掩模板3放置在所述突出部12上，使得所述基底2与所述掩模板3对准。

由于所述基底2中具有第一对准标记21，所述掩模板3中具有第二对准标记31，因此可以通过所述第一对准标记21和所述第二对准标记31的对准实现所述基底2与所述掩模板3对准。

通过对准标记来进行对准为本领域技术人员所熟知，此处不进行详述。

可以理解的是，所述基底2与所述掩模板3对准并不限于是设计在各自上的对准标记来完成，还可以是借助其他模块，例如静电载具1实现对准。

待所述基底2与所述掩模板3对准之后，请继续参考图7，进行步骤s13，所述静电载具1对所述基底2和所述掩模板3进行静电吸附以键合。

如图7可见，所述扩展部32位于所述突出部12上，所述突出部12静电吸附并固定所述扩展部32，从而使得所述掩模板3位置固定。可以理解的是，对于没有扩展部32的情况，则是所述突出部12静电吸附所述掩模板3。

同时，所述基底2位于所述凹槽11中，可以通过所述底部13对所述基底2的静电吸附加以固定，从而使得所述基底2位置固定。

由此，实现了所述基底2和所述掩模板3的键合，并且键合的稳固程度可以得到保障。

其中，可以通过改变静电载具1的电量(例如调整电流大小)来改变静电载具对基底2和扩展部32(或掩模板3)的吸附强度，以实现位置的调节和固定。

此外，静电吸附来键合灵活性高，例如在借助掩模板3加工完成需要拆除掩模板3时，通过释放静电即可，而不需经过使用化学药剂。

可见，本发明提出了一种基底和掩模版的对准键合方案。通过静电可以实现基底与掩模板的键合，可以实现较高的键合精度。在键合之后进行的其他过程，例如材料层的沉积时，能够较好的满足沉积质量，进而有效产品的质量。此外，还降低了掩模板3与基底2分离时的难度。

基于上述内容，本发明适用于器件的制造。

例如，可以用于oled蒸镀过程，在所述静电载具吸附所述基底和所述掩模板以进行键合之后，以所述掩模板为掩膜对所述基底蒸镀oled。

本发明还提供一种oled装置的制造方法，包括：如上所述的oled蒸镀方法。

在一个实施例中，对于所述的制造方法，所述oled装置为oled显示屏，或者，含有oled显示屏的装置。

由此可以改善现有技术中oled蒸镀时掩模版和驱动电路基底对准过程会产生较大的误差的情况，从而有助于获得高质量的oled器件。

综上所述，本发明提供的键合方法中，所述键合方法包括：提供静电载具，所述静电载具包括突出部及底部，所述突出部设置在所述底部上以围绕出凹槽；将基底放置在所述凹槽中，将掩模板放置在所述突出部上，使得所述基底与所述掩模板对准；以及，所述静电载具对所述基底和所述掩模板进行静电吸附以键合。由此，使得基底与掩模板对准后，掩模板的位置由静电载具静电吸附固定住，而基底的位置由凹槽静电吸附固定住，防止了基底和掩模板的移位，从而有效提高了键合效果，确保了定位精度，有助于后续制备过程高质量的完成；并且，所述基底和所述掩模板的键合在拆分时更容易。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。