技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体器件的互连线结构及半导体器件的互连线制造方法，利用一刻蚀剂刻蚀位于开口中的介质层，以形成一凹槽在介质层中，其中，在刻蚀形成凹槽的过程中同时生成一钝化薄膜并附着在介质层位于凹槽内的侧壁上，利用钝化薄膜的分隔使刻蚀剂不侧蚀介质层位于凹槽侧壁的部分，由此，能够易于金属互连线填充在凹槽中，从而便可使得金属互连线能够很好的填充在凹槽中，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.11.24
技术公布日：2018.04.13