等离子体处理装置的制作方法

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；以及

升降销，其至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销的前端收纳于所述通孔，该升降销通过相对于所述载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送所述被处理体，

其中，所述升降销的与所述通孔对应的前端部分和所述通孔的与所述升降销相向的壁面中的至少一方具有导电性构件。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述升降销在所述前端部分具有由导电性构件形成的导电膜。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述升降销的所述前端部分由导电性构件形成。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述升降销的所述前端部分在内部包含导电性构件。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述静电卡盘在所述通孔的与所述升降销相向的壁面具有由导电性构件形成的导电膜。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述静电卡盘在所述通孔内具有导电性的筒状构件。

7.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及

基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，在该第一通孔和第二通孔内具有嵌入构件，

其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第一通孔和所述基台的所述第二通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述弹性构件由杨氏模量为20GPa以下的构件形成。

9.根据权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述嵌入构件的靠所述第一通孔一侧的前端部分具有由导电性构件形成的导电膜。

10.根据权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述嵌入构件的靠所述第一通孔一侧的前端部分由导电性构件形成。

11.根据权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述嵌入构件的靠所述第一通孔一侧的前端部分在内部包含导电性构件。

12.根据权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一通孔和所述第二通孔中的至少一方的与所述嵌入构件相向的壁面具有由导电性构件形成的导电膜。

13.根据权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第一通孔和所述第二通孔内具有导电性的筒状构件。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔和第二通孔；

升降销，其至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销的前端收纳于所述第一通孔中，该升降销通过相对于所述载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送所述被处理体；以及

基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第二通孔连通的第三通孔，在该第二通孔和第三通孔内具有嵌入构件，

其中，所述升降销的与所述第一通孔对应的前端部分和所述第一通孔的与所述升降销相向的壁面中的至少一方具有导电性构件，

所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第二通孔和所述基台的所述第三通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。