技术总结
本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置面(21)和背面(22)的销用贯通孔(200)。升降销(61)的至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销(61)的前端收纳于销用贯通孔(200)，该升降销(61)通过相对于载置面(21)沿上下方向移动来沿上下方向搬送晶圆(W)。升降销(61)在与销用贯通孔(200)对应的前端部分具有导电膜(61c)。
技术研发人员：佐佐木康晴;石川聪;千叶谅
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2017.12.05
技术公布日：2018.06.12