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等离子体系统以及使用其制造半导体器件的方法与流程
文档序号:14875325
发布日期:2018-07-07 05:28
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来源:国知局
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等离子体系统以及使用其制造半导体器件的方法与流程
技术特征:
技术总结
一种等离子体系统包括电极和向电极提供射频(RF)功率以在电极上产生等离子体的射频(RF)功率供应单元。RF功率被提供为脉冲,该脉冲在脉冲的脉冲导通间隔期间具有谷形部分。谷形部分由谷角度和谷宽度限定。通过控制谷角度和谷宽度,等离子体可以控制基板的蚀刻。
技术研发人员:
孙敏圭;成德镛;沈承辅;郑载园;韩丙勋
受保护的技术使用者:
三星电子株式会社
技术研发日:
2017.12.28
技术公布日:
2018.07.06
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