1.一种III-V族环栅场效应晶体管，包括晶体管本体，其特征在于：所述晶体管本体由单晶衬底(101)、隔离层(102)、键合金属层(103)、第一栅金属层(104a)、第一栅介质层(105a)、第一界面控制层(106a)、III-V族半导体沟道层(107)、第二界面控制层(106b)、III-V族半导体源漏层(108)、界面控制层侧墙(110)、第二栅介质层(105b)、第二栅金属层(104b)和源漏金属层(109)组成；
单晶衬底(101)、隔离层(102)、键合金属层(103)、第一栅金属层(104a)、第一栅介质层(105a)、第一界面控制层(106a)、III-V族半导体沟道层(107)、第二界面控制层(106b)和III-V族半导体源漏层(108)从下至上依次叠放，形成键合体；
键合体上部的中间部分刻蚀出剖面呈凹字形的凹槽，凹槽的上部即沟道区域刻蚀至键合体的第二界面控制层(106b)之上，凹槽的侧部即源漏区域刻蚀至键合体的第一栅介质层(105a)之上；
界面控制层侧墙(110)设置在凹槽的侧壁两侧；
第二栅介质层(105b)覆盖在凹槽外侧的中间部分，第二栅金属层(104b)覆盖在第二栅介质层(105b)上；
源漏金属层(109)覆盖在III-V族半导体源漏层(108)上。
2.根据权利要求1所述的一种III-V族环栅场效应晶体管，其特征在于：界面控制层侧墙(110)的材料与第一界面控制层(106a)和第二界面控制层(106b)的材料相同。
3.根据权利要求1所述的一种III-V族环栅场效应晶体管，其特征在于：第二栅介质层(105b)和第二栅金属层(104b)的覆盖面积一致。
4.根据权利要求1所述的一种III-V族环栅场效应晶体管，其特征在于：源漏金属层(109)覆盖在III-V族半导体源漏层(108)上方的外侧部分，即2个源漏金属层(109)之间的距离大于2个III-V族半导体源漏层(108)之间的距离。