1.一种IBC电池结构，包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，其特征在于，所述基体为N型黑硅基体；所述PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；所述背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且所述背面钝化层为SiNx膜；所述正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。
2.根据权利要求1所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面钝化层为SiNx膜，厚度为79-90μm。
3.根据权利要求2所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面钝化层的厚度为85μm。
4.根据权利要求3所述的IBC电池结构，其特征在于，所述背面钝化层的厚度为79-90μm。
5.根据权利要求4所述的IBC电池结构，其特征在于，所述背面钝化层的厚度为85μm。
6.根据权利要求1所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面减反层的为SiNx膜，厚度为79-90μm。
7.根据权利要求6所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面减反层的厚度为85μm。
8.根据权利要求1至7中任一所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面n+扩散层的横截面为锯齿形。
9.根据权利要求8所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面减反层和上表面钝化层的横截面为锯齿形。