1.一种基于台阶结构的发光二极管(10)，其特征在于，包括：
单晶Si衬底(11)；
第一Ge层(12)，设置于所述单晶Si衬底(11)上表面；
Ge基台阶结构(13)，设置于所述第一Ge层(12)上表面的中心位置处；
正电极(14)，设置于所述第一Ge层(12)的上表面并位于所述Ge基台阶结构(13)两侧的位置处；
负电极(15)，设置于所述Ge基台阶结构(13)的上表面；
钝化层(16)，设置于所述第一Ge层(12)和所述Ge基台阶结构(13)的上表面以及所述正电极(14)和所述Ge基台阶结构(13)的中间，以形成所述发光二极管(10)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述第一Ge层(12)包括Ge籽晶层、Ge主体层和第二Ge层；其中，所述Ge主体层设置于所述Ge籽晶层上表面，所述第二Ge层设置于所述Ge主体层上表面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述Ge籽晶层的厚度为40～50nm；所述Ge主体层的厚度为150～250nm；所述第二Ge层的厚度为400-450nm。
4.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述Ge基台阶结构(13)包括GeSn层和第三Ge层；其中，所述第三Ge层设置于所述GeSn层上表面。
5.根据权利要求4所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述GeSn层的厚度为150～200nm。
6.根据权利要求4所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述第三Ge层的厚度为40～60nm。