技术总结
本实用新型涉及一种基于台阶结构的发光二极管10，包括：单晶Si衬底11第一Ge层12，设置于单晶Si衬底11表面；Ge基台阶结构13，设置于第一Ge层12表面的中心位置处；正电极14，设置于第一Ge层12的上表面并位于台阶结构13两侧的位置处；负电极15，设置于台阶结构13的上表面；钝化层16，设置于第一Ge层(12)和Ge基台阶结构(13)的上表面以及正电极(14)和Ge基台阶结构(13)的中间，以形成发光二极管10。本实用新型台阶结构的发光二极管，Si衬底上外延Ge层，制备出高质量GeSn层，极大地提高发光二极管的发光效率。
技术研发人员：乔丽萍
受保护的技术使用者：西藏民族大学
文档号码：201720544312
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2018.02.16