一种显示器件的封装结构、阵列基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及封装技术领域，尤其涉及一种显示器件的封装结构、阵列基板及显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

其中，OLED显示器中的OLED器件对水汽、氧气特别敏感，极易与空气中的水汽、氧气等成分发生反应，进而造成OLED器件的失效，因此，对OLED显示器中OLED的封装结构来说要特别注重对水、氧的阻隔，需要将OLED器件与环境中的水氧严格分离开，以延长OLED器件的使用寿命。

一般的，OLED的封装方法包括玻璃胶(Frit)封装和薄膜(TFE)封装两种类型，其中，硬质的OLED显示器一般可以采用Frit封装，柔性OLED显示器一般采用TFE封装；然而，对于上述封装结构而言，尤其是TFE封装，因侧边位置处层与层之间的结合强度低，使得侧边封装效果较差，环境中的水氧容易从侧边侵蚀进入显示面板中，进而造成对OLED器件的损坏。

技术实现要素：

本实用新型的实施例提供一种显示器件的封装结构、阵列基板及显示装置，能够降低环境中的水氧从侧边侵入显示器件中的几率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型实施例一方面提供一种显示器件的封装结构，包括衬底基板，以及依次设置于所述衬底基板上的显示器件和封装单元，其中，所述封装单元的边缘区域与所述衬底基板的边缘区域接触，以封装所述显示器件；所述衬底基板包括第一基底以及位于所述第一基底上的第一有机层；所述封装单元包括第二有机层，所述第二有机层的 边缘区域与所述第一有机层的边缘区域接触、且在接触面处结合为一体结构。

进一步优选的，所述第二有机层的边缘区域与所述第一有机层的边缘区域的接触、且在接触面处通过化学交联结合为一体结构。

进一步优选的，所述第一有机层和所述第二有机层的材料相同。

进一步优选的，所述第一有机层和所述第二有机层均主要由聚二甲基硅氧烷构成。

进一步优选的，所述封装单元还包括覆盖所述显示器件表面的第一无机层；所述第二有机层覆盖所述第一无机层；所述封装单元还包括覆盖所述第二有机层的第二无机层。

进一步优选的，所述衬底基板还包括第二基底，所述第二基底位于所述第一有机层背离所述第一基底的一侧。

进一步优选的，所述第一基底和所述第二基底均主要由聚酰亚胺构成。

进一步优选的，所述显示器件包括OLED器件。

本实用新型实施例另一方面还提供一种显示装置，包括前述的显示器件的封装结构。

本实用新型实施例再一方面还提供一种阵列基板，包括前述的显示器件的封装结构。

本实用新型实施例提供一种显示器件的封装结构、阵列基板及显示装置，该显示器件的封装结构，包括衬底基板，以及依次设置于衬底基板上的显示器件和封装单元，其中，封装单元的边缘区域与衬底基板的边缘区域接触，以封装显示器件；衬底基板包括第一基底以及位于第一基底上的第一有机层；封装单元包括第二有机层，第二有机层的边缘区域与第一有机层的边缘区域接触，且在接触面处结合为一体结构，这样一来，相比于现有技术的封装结构中水氧容易从侧面的层与层之间的位置处侵入显示器件而言，本实用新型中第一有机层与第二有机层在侧面接触形成一体结构，即在封装结构的侧面位置为一体结构，从而降低了水氧从侧边透过封装结构侵入显示器件中的几率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种显示器件的封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种显示器件的封装方法的流程示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种显示器件的封装方法的流程示意图；

图4为本实用新型实施例提供的又一种显示器件的封装方法的流程示意图。

附图标记：10-衬底基板；100-第一有机层；101-第一基底；102-第二基底；20-封装单元；200-第二有机层；201-第一无机层；202-第二无机层；30-显示器件；301-薄膜晶体管阵列；302-OLED器件；A-接触面。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种显示器件的封装结构，如图1所示，该显示器件的封装结构包括衬底基板10，以及依次设置于衬底基板10上的显示器件30和封装单元20，封装单元20的边缘区域与衬底基板10的边缘区域接触，以封装显示器件30。

如图1所示，本实用新型中的衬底基板10包括第一基底101以及位于第一基底101上的第一有机层100；封装单元20包括第二有 机层200，第二有机层200的边缘区域与第一有机层100的边缘区域接触、且在接触面A处结合为一体结构。

需要说明的是，上述在接触面A处结合为一体结构是指，两个膜层在接触面A处，并不是普通的膜层之间因分子之间的范德华力或者氢键作用力而粘合在一起，而是指在接触面A处，通过化学作用使得第一有机层100和第二有机层200之间产生共价键或者离子键而结合为一体结构，也即接触面A处第一有机层100和第二有机层200产生永久键合；具体的，第二有机层200的边缘区域与第一有机层100的边缘区域接触、且在接触面A处可以是通过化学交联以共价键的形式形成永久键合的一体结构；但本实用新型并不限制于此。

这样一来，相比于现有技术的封装结构中水氧容易从侧面的层与层之间的位置处侵入显示器件而言，本实用新型中第一有机层与第二有机层在侧面接触，且在接触面处结合形成一体结构，即在封装结构的侧面位置为一体结构，从而降低了水氧从侧边透过封装结构侵入显示器件中的几率。

在此基础上，本实用新型中对于上述第一有机层100和第二有机层200的具体材料不作限定，第一有机层100的材料和第二有机层200的材料可以相同，也可以是不同，只要保证第一有机层100和第二有机层200在接触面A处结合为一体结构即可。

当然，为了简化制作工艺，并且保证第一有机层100和第二有机层200之间能够有效的结合为一体结构，本实用新型优选的，第一有机层100和第二有机层200的材料相同；例如，第一有机层100和第二有机层200可以均采用具有较好的水氧阻隔特性的PDMS(Polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷)材料，第一有机层100和第二有机层200在接触面A处通过化学交联形成Si-O-Si的共价键而永久键合形成一体结构；第一有机层100和第二有机层200也可以采用其他材料，例如，PDMS的改性类材料，本实用新型对此不作限定。

另外，本实用新型实施例还提供一种包括上述显示器件的封装结构的阵列基板及显示装置，具有与前述实施例提供的封装结构相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对封装结构的有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述，以下实施例结合上述封装结构以及显示 装置、阵列基板对本实用新型做进一步的说明。

本实用新型中，显示器件30可以包括有机发光二极管(OLED)器件，在此情况下，显示装置可以是OLED显示面板，也可以是包括OLED显示面板的任何显示类产品；当然，对于OLED显示面板而言，如图1所示，上述显示器件30包括OLED器件302和薄膜晶体管阵列301(即TFT Array)；此外，显示器件30也可以是半导体发光二极管器件，本实用新型对此不做限定，只要需要进行封装的显示器件均可以采用本实用新型中的封装结构。以下实施例为了简化说明，均是以OLED器件为例对本实用新型做进一步的说明。

本实用新型中显示器件的封装结构可以是针对玻璃胶(Frit)封装和薄膜(TFE)封装，其中，对于薄膜(TFE)封装而言，可以是针对柔性显示装置的薄膜封装，也可以是针对于非柔性显示装置的薄膜封装，本实用新型对此均不作限定；当然，考虑到柔性显示装置材料自身的柔软性，以及在实际应用中多次弯折，因此，对封装结构的封装效果具有要求较高，基于此，对于柔性显示装置而言，相比于现有封装结构，采用本实用新型中的侧面位置为一体结构封装结构，对于水氧的阻隔效果更具优势。

以下对薄膜封装以及薄膜封装在柔性显示装置领域中采用本实用新型中的封装结构的具体设置情况做进一步的说明。

在薄膜封装中，封装单元采用有机层和无机层交替的设置方式，如图1所示，封装单元20可以包括覆盖显示器件30表面的第一无机层301和第二无机层302，其中，第二有机层200覆盖第一无机层201，第二无机层302覆盖第二有机层200；当然，该第二有机层200的边缘应超出第一无机层201的边缘以保证第二有机层200的边缘区域与第一有机层100的边缘区域接触。

另外，对于在柔性显示装置领域，上述衬底基板10还包括第二基底102，第二基底102位于第一有机层100背离第一基底101的一侧，也即衬底基板10包括依次设置的第一基底101、第一有机层100、第二基底102，以满足衬底基板10的实际功能；其中，衬底基板10中的第一基底101和第二基底102可以均主要由PI(Polyimide，聚酰亚胺)构成；当然，本实用新型并不限制于此，也可以采用PET (聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PVC(聚氯乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)等。

本实用新型实施例还提供一种显示器件的封装方法，如图2所示(具体结构可参考图1)，该封装方法包括：

步骤S101、形成衬底基板10，其中，形成衬底基板10包括依次形成第一基底101和第一有机层100。

具体的，对于柔性显示装置而言，该形成衬底基板10的步骤还包括在第一有机层100上形成第二基底102(参考图4中步骤S101’)，且第一基底101和第二基底102一般采用PI材料；第一有机层100可以采用PDMS材料，并通过热固化的方式成型，其中，热固化温度可以采用60℃～100℃。

步骤S102、在衬底基板10上形成显示器件30。

对于OLED显示装置而言，该步骤具体可以包括：在衬底基板10上依次形成薄膜晶体管阵列301以及OLED器件302。

步骤S103、在形成有显示器件30的衬底基板10上形成包括第二有机层200的封装单元20，第二有机层200的边缘区域与第一有机层100的边缘区域接触、且在接触面处结合为一体结构。

这样一来，相比于现有技术的封装结构中水氧容易从侧面的层与层之间的位置处侵入显示器件而言，本实用新型中第一有机层与第二有机层在侧面接触，且在接触面处结合形成一体结构，即在封装结构的侧面位置为一体结构，从而降低了水氧从侧边透过封装结构侵入显示器件中的几率。

以下示意的，提供一种上述第二有机层200的边缘区域与第一有机层100的边缘区域接触、且在接触面处结合为一体结构的具体实现过程。

例如，如图3所示，上述封装方法还包括：(以下制作步骤的序号顺序并不代表必然的制作先后顺序关系)

步骤10、对第一有机层100的边缘区域进行活化处理。

此处应当理解到的是，该步骤是对第一有机层100进行活化处 理，则该步骤必然是在形成第一有机层100之后进行，且由于该活化处理的目的是为了保证第二有机层200能够在活化区域与第一有机层100结合为一体结构，则该步骤必然是在形成第二有机层200。

在此情况下，上述步骤S103中的第二有机层的边缘区域与第一有机层的边缘区域接触、且在接触面处结合为一体结构包括(图3中S103’)：第二有机层的边缘区域与第一有机层中完成活化处理的边缘区域接触，且在接触面处通过化学交联结合为一体结构。

具体的，以第一有机层100采用PDMS为例，可以采用氧等离子体对第一有机层100的边缘区域的表面进行活化处理，在该边缘区域的表面形成硅羟基(Si-OH)，即在第一有机层100的边缘区域的表面形成硅羟基(Si-OH)。

在此基础上，第二有机层200也可以采用PDMS材料，此时，第二有机层200的边缘区域与第一有机层100的边缘区域接触，在接触面处发生化学交联反应形成Si-O-Si的共价键，使得第一有机层100和第二有机层200在接触面处通过化学交联产生共价键，形成永久键合的一体结构。

此处需要说明的是，在第一有机层100和第二有机层200采用PDMS材料的情况下，可以通过热固化的方式保证第一有机层100和第二有机层200的成型；由于第二有机层200进行热固化时，该封装结构中已经包括显示器件30，为了避免热固化的温度过高对显示器件30造成损伤，因此，对于第二有机层200而言，可以设置较低的热固化温度，例如，不超过60℃。

另外，需要说明的是，如图4所示，对于步骤S101’中衬底基板10包括第二基底102的情况下，由于第二基底102覆盖第一有机层100从而对第一有机层100造成遮挡，而无法进行步骤S10中的活化处理，因此，在此情况下，如图4所示，该封装方法在步骤S10的活化处理前还包括：

步骤20：去除第二基底102中对应第一有机层100的边缘区域的部分。

具体的，该步骤20可以采用半切割的方式仅对第二基底102中对应第一有机层100的边缘区域的部分进行切割，然后在对整个衬底 基板进行加热(例如，可以加热到100℃左右)后，将切割的第二基底102的边缘部分进行剥离去除，露出第一有机层100的边缘区域，当然本实用新型并不限制于此，也可以采用其他的去除方法露出第一有机层100的边缘区域。

需要说明的是，对于OLED显示面板而言，上述去除过程需要保留第二基底102中对应COF区的边缘部分，该边缘部分无需进行去除，即仅需要通过步骤20去除OLED显示面板中沿栅线长度方向上的边缘部分以及COF区相对的边缘部分对应的第二基底102即可。

进一步的，对于薄膜封装而言，如图4所示，上述形成有显示器件的衬底基板上形成包括第二有机层的封装单元20的步骤S103或者步骤S103’具体可以包括：

步骤S1031、在形成有显示器件30的衬底基板10上形成第一无机层201。

步骤S1032、在第一无机层201上形成第二有机层200。

步骤S1033、在第二有机层200上形成第二无机层202。

其中，本领域的技术人员应当理解到，为了保证第二有机层200的边缘能够与衬底基板10中第一有机层100中完成活化处理的边缘区域接触，第二有机层200的边缘超出第一无机层201的边缘，从而使得第二有机层200的边缘能够与第一有机层100中完成活化处理的边缘区域接触。另外，对于有机层和无机层的具体制作，本领域的技术人员还应当理解到，一般的，无机层可以通过设置掩膜版的方式直接进行图案化；有机层可以采用整层沉积，然后在通过构图工艺(曝光、刻蚀、剥离等)进行图案化。

基于此，为了避免第一有机层100的边缘区域进行活化处理后的表面长时间暴露在空气中导致活化基团的数量减小，进而导致后续的化学交联效果变差，本实用新型优选的，上述对第一有机层100的边缘区域进行活化处理的之后直接进行形成第二有机层200的步骤；当然，对于薄膜封装中，即上述步骤S103或S103’包括步骤S1031、步骤S1032以及步骤S1033的情况下，如图4所示，上述步骤S10优选的位于形成第一无机层201的步骤S1031和形成第二有机层200的步骤S1032之间。

在此基础上，为了避免上述步骤20中去除第二基底102中对应第一有机层100的边缘区域的部分的过程中造成封装单元20中膜层的松动，进而对显示器件造成不良影响，本实用新型优选的，如图4所示，上述步骤20在形成封装单元的步骤S103或S103’之前进行。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。