电容器阵列结构的制作方法

技术特征：

1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述电容器阵列结构包括：

下电极层，与所述焊盘接触，所述下电极层的截面形状为侧壁呈波浪状或矩形齿状的U型；

电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；及

上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。

2.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列还包括顶支撑层，位于所述下电极层的开口外围，且垂直于所述下电极层的U形侧壁延伸方向。

3.根据权利要求2所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列还包括中介支撑层，位于所述顶支撑层与所述半导体衬底之间，所述下电极层的最小外径由所述顶支撑层和所述中介支撑层的开孔尺寸界定。

4.根据权利要求1、2或3所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述下电极层的最大外径为其最小外径的1.05～1.2倍。

5.一种半导体存储器件结构，其特征在于，所述半导体存储器件结构包括如权利要求1所述的电容器阵列结构。

6.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述电容器阵列结构包括：

下电极层，与所述焊盘接触，所述下电极层的截面形状为U型，所述下电极层的侧壁具有至少一孔径扩大部与若干个连接所述孔径扩大部的垂直孔部；

顶支撑层，位于所述下电极层的开口外围，且垂直于所述下电极层的U形侧壁延伸方向，所述垂直孔部至少位于所述顶支撑层与所述孔径扩大部之间，以使所述孔径扩大部的边缘距离所述顶支撑层产生一间隙；

电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；及

上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。

7.根据权利要求6所述的电容器阵列结构，其特征在于，还包括中介支撑层，位于所述顶支撑层与所述半导体衬底之间，所述垂直孔部的外径由所述顶支撑层和所述中介支撑层的开孔尺寸界定。

8.根据权利要求7所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述孔径扩大部位于所述顶支撑层与所述中介支撑层之间。

9.根据权利要求7所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述孔径扩大部位于所述中介支撑层与半导体衬底之间。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述孔径扩大部的外径为所述垂直孔部的外径1.05～1.2倍。