技术总结
本实用新型提供一种电容器阵列结构，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述电容器阵列结构包括：下电极层，与所述焊盘接触，所述下电极层的截面形状为侧壁呈波浪状或矩形齿状的U型；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；及上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。本实用新型的下电极板、电容介质层及上电极板表面轮廓呈波纹状或矩形齿状，在不增加电容器高度的情况下，可以显着增加电容。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
文档号码：201721178000
技术研发日：2017.09.14
技术公布日：2018.03.30