1.一种等离子体处理装置，包括腔体(1)、设置在所述腔体(1)中的顶部并喷出工作气体的上电极(2)、以及设置在所述腔体(1)中的与所述上电极(2)相对的位置上的下电极(3)，其特征在于，在所述下电极(3)形成供所述工作气体流出的抽气通道(31)。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述下电极(3)上形成从上表面到下表面贯通的多个贯通孔(311)，所述多个贯通孔(311)构成所述抽气通道(31)。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括设置于所述腔体(1)并对所述下电极(3)进行支承的下电极隔离部件(4)。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极隔离部件(4)与所述下电极(3)之间形成与所述抽气通道(31)连通的第一气体流路(32)。
5.根据权利要求1、3、4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述下电极(3)的侧面形成有侧面开口(312)且在所述下电极(3)的底面形成有底面开口(313)，所述底面开口(313)与所述侧面开口(312)相连通而形成所述抽气通道(31)。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括排气系统(5)，所述排气系统(5)与所述抽气通道(31)相连通。
7.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第一气体流路(32)中位于下电极隔离部件(4)一侧的部分设置有斜面(321)。
8.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极隔离部件(4)为绝缘部件。
9.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极隔离部件(4)与所述下电极(3)之间设置有固定装置(6)，对所述下电极(3)进行固定。
10.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述侧面开口(312)在所述下电极(3)的侧面上等间距地分布。