具有硅穿孔的芯片堆叠体的制作方法

技术特征：

1.一种具有硅穿孔的芯片堆叠体，其特征在于，包括：

第一芯片，包括连接垫，所述连接垫在边缘和边缘之间的顶角部为平滑线条；

第二芯片，所述第二芯片的下表面与所述第一芯片的上表面相接合，所述第二芯片设有硅穿孔，所述硅穿孔贯穿于所述第二芯片并延伸至所述连接垫的上表面；

绝缘层，覆盖所述硅穿孔的内侧壁；以及

穿孔导体，由所述第一芯片的所述连接垫上形成并填充于由所述绝缘层的内侧壁所形成的空间内。

2.根据权利要求1所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述连接垫的边缘形状为多边形。

3.根据权利要求1所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述连接垫的全部顶角部为圆弧形。

4.根据权利要求1所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述连接垫的边缘形状为圆形或椭圆形。

5.根据权利要求1所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面经活化，使所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面产生吸附力，以使所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面互相直接接合。

6.根据权利要求1所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述穿孔导体包括种子层和生长层，所述种子层覆盖所述绝缘层的内侧壁以及由所述绝缘层的内侧壁所包围的所述连接垫的上表面，所述生长层填充于由所述种子层所围成的空间内。

7.根据权利要求1至6任一项所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一芯片包括表面层，覆盖所述第一芯片位于所述连接垫上的上表面，所述表面层由介电质材料形成，所述第二芯片包括半导体层及形成于所述半导体层上的器件层，所述硅穿孔贯穿所述第二芯片的所述器件层和所述半导体层及所述第一芯片的所述表面层，以显露所述第一芯片的所述连接垫。

8.一种具有硅穿孔的芯片堆叠体，其特征在于，包括：

第一芯片，包括连接垫所述连接垫的边缘形状包括相邻的第一线段和第二线段，所述第一线段和所述第二线段为平滑线条，所述第一线段和所述第二线段的连接点在所述第一线段上的切线与所述连接点在所述第二线段上的切线间的两切线夹角大于等于150度；

第二芯片，所述第二芯片的下表面与所述第一芯片的上表面相接合，所述第二芯片设有硅穿孔，所述硅穿孔贯穿于所述第二芯片并延伸至所述连接垫的上表面；

绝缘层，覆盖所述硅穿孔的内侧壁；以及

穿孔导体，由所述第一芯片的所述连接垫上形成并填充于由所述绝缘层的内侧壁所形成的空间内。

9.根据权利要求8所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一线段和所述第二线段均包括弧形。

10.根据权利要求8所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一线段包括弧形，所述第二线段包括直线，且所述连接点在所述第一线段上的切线与所述第二线段的夹角大于等于150度。

11.根据权利要求8所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一线段和所述第二线段均包括直线，且所述第一线段与所述第二线段的夹角大于等于150度。

12.根据权利要求8所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面经活化，使所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面产生吸附力，以使所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面互相直接接合。

13.根据权利要求8至12任一项所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述穿孔导体包括种子层和生长层，所述种子层覆盖所述绝缘层的内侧壁以及由所述绝缘层的内侧壁所包围的所述连接垫的上表面，所述生长层填充于由所述种子层所围成的空间内。

14.根据权利要求8至12任一项所述的芯片堆叠体，其特征在于，所述第一芯片包括表面层，覆盖所述第一芯片位于所述连接垫上的上表面，所述表面层由介电质材料形成，所述第二芯片包括半导体层及形成于所述半导体层上的器件层，所述硅穿孔贯穿所述第二芯片的所述器件层和所述半导体层及所述第一芯片的所述表面层，以显露所述第一芯片的所述连接垫。