技术特征：
技术总结
一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。
技术研发人员：越智元隆;西山功兵;后藤裕史;钉宫敏洋
受保护的技术使用者：株式会社神户制钢所
技术研发日：2017.02.02
技术公布日：2018.11.09