技术特征：
技术总结
根据一个实施例的半导体器件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上，并电连接到第一导电型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到栅电极。
技术研发人员：李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;宋俊午
受保护的技术使用者：LG伊诺特有限公司
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2019.02.05