技术特征:
技术总结
本发明的蚀刻方法,通过对被处理体进行等离子体处理,相对于由氮化硅形成的第2区域(R2),有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1),其中,被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK),该蚀刻方法包括:生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤;和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤,在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率,反复执行第1步骤和第2步骤。
技术研发人员:畑崎芳成;石田和香子;谷口谦介
受保护的技术使用者:东京毅力科创株式会社
技术研发日:2017.05.16
技术公布日:2019.01.15