具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法与流程

技术特征：

1.一种具有保护膜形成层的切割膜片，其具有基材膜、粘着剂层和保护膜形成层，

并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，

并且，基材膜包括如下(a)～(c)的特性：

(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、

(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5％、

(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。

2.如权利要求1所述的具有保护膜形成层的切割膜片，其中，保护膜形成层是热固化性。

3.如权利要求1或2所述的具有保护膜形成层的切割膜片，其中，保护膜形成层包含胶合剂高分子成分(A)和固化性成分(B)。

4.如权利要求1或2所述的具有保护膜形成层的切割膜片，其中，

保护膜形成层含有着色剂(C)，

并且，在波长300～1200nm时的保护膜形成层的最大穿透率为20％以下。

5.如权利要求1或2所述的具有保护膜形成层的切割膜片，其中，

在基材膜和粘着剂层构成的粘着膜片的粘着剂层上，具有保护膜形成层，

保护膜形成层形成于粘着膜片的内部，

粘着剂层露出于粘着膜片的外周部。

6.如权利要求1或2所述的具有保护膜形成层的切割膜片，其中，其由形成于基材膜的内部的保护膜形成层、和形成于基材膜的外周部的粘着剂层构成。

7.一种芯片的制造方法，其将权利要求5所述的具有保护膜形成层的切割膜片的保护膜形成层粘贴于工件，并且按照[(1)，(2)，(3)]、[(2)，(1)，(3)]或[(2)，(3)，(1)]中的任一顺序进行下述工序(1)～(3)：

工序(1)：固化保护膜形成层得到保护膜；

工序(2)：切割工件、和保护膜形成层或保护膜；

工序(3)：剥离保护膜形成层或保护膜、和粘着膜片。

8.一种芯片的制造方法，其将权利要求6所述的具有保护膜形成层的切割膜片的保护膜形成层粘贴于工件，并且按照[(1)，(2)，(3)]、[(2)，(1)，(3)]或[(2)，(3)，(1)]中的任一顺序进行下述工序(1)～(3)：

工序(1)：固化保护膜形成层得到保护膜；

工序(2)：切割工件、和保护膜形成层或保护膜；

工序(3)：剥离保护膜形成层或保护膜、和基材膜。

9.如权利要求7或8所述的芯片的制造方法，其中，保护膜形成层是热固化性，并且按照[(1)，(2)，(3)]或[(2)，(1)，(3)]的顺序进行工序(1)～(3)的各工序。

10.如权利要求9所述的芯片的制造方法，其中，在上述工序(1)之后的任一工序中，进行下述工序(4)：

工序(4)：在保护膜进行激光刻印。