技术总结
本发明公开了一种三维存储器制造方法，包括：在衬底上形成由交替布置的多个第一介质层和多个第二介质层构成的介质层堆叠；刻蚀介质层堆叠以形成多个沟道区；在所述沟道区之间，刻蚀介质层堆叠以形成暴露衬底的槽；以及执行侧向刻蚀，使得所述槽的侧壁的曲率至少局部减少。依照本发明的三维存储器制造方法，刻蚀接触槽之后增加额外的侧向刻蚀使得槽侧壁平直，提高器件可靠性。
技术研发人员：郭玉芳;乐陶然;刘欢;程强;陈世平;邵克坚;陈保友
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.03.26
技术公布日：2018.09.18