技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介电层，在所述第一层间介电层中形成有多个通孔；执行第一金属材料沉积工艺，形成覆盖所述半导体衬底并填充所述通孔的第一金属材料，执行第一金属材料刻蚀工艺，去除所述通孔以外的所述第一金属材料以形成多个第一金属材料插塞；执行第二金属材料沉积工艺，形成覆盖所述半导体衬底的第二金属材料，执行第二金属材料刻蚀工艺，以形成至少覆盖一个所述第一金属材料插塞中的第二金属材料层；形成覆盖所述半导体衬底的第二介电材料层，执行第二介电材料刻蚀工艺，形成露出所述第二金属材料层的第二层间介电层。
技术研发人员：张海洋;王梓
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2018.04.04
技术公布日：2019.10.18